分析：CXMT 产能见顶，DRAM 价格持续大涨
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美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
火星财经消息 9月8日，三星电子与阿斯麦（ASML）宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。（广角观察）
Apple开始测试CXMT DRAM，用于在中国销售设备
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据 FT 报道，Apple 已开始测试 CXMT 的 DRAM，用于在中国销售的 Apple 设备。
Bernstein：预计SK海力士第三季度DRAM毛利率将达92%
Odaily星球日报讯 投资研究机构 Bernstein 估算，SK 海力士今年第二季度 DRAM 毛利率有望达到 90.9%，第三季度将达到 92%。这一增长主要受 HBM 高需求推动；在 HBM 市场中，SK 海力士约占 60%市场份额，并且是 Nvidia 的主要供应商。有业内人士称，在全球制造业与科技史上，除软件与平台型轻资产企业外，极少有实体硬件制造业务能将毛利率推进到 90%以上。
Trendforce：预计传统DRAM价格Q3上涨13%至18%
BlockBeats 消息，7 月 4 日，Trendforce 预计，在 2026 年第三季度，传统 DRAM 产品的合同价格将环比上涨 13% 至 18%。