马斯克瞄准EUV光源：芯片成本或迎变革
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马斯克或采用FEL技术挑战EUV光刻机
BlockBeats 消息，8 月 10 日，SpaceX 近日宣布将与特斯拉合作，初期投资 168 亿美元，在美国得州与建 Terafab 芯片设施。有博客博主发布消息称，从 Terafab 发布的消息来看，马斯克似乎要采用「自由电子激光器」(Free Electron Laser, FEL) 技术路线，以挑战阿斯麦的 LPP EUV 光源，颠覆传统 EUV 晶片生产技术的垄断。马斯克其后的回应，似乎印证了这种说法，他贴上「FEL FTW」（FEL For The Win）字眼。 从 Terafab 细长的厂房设计和马斯克的回复可以看出，Terafab 很可能会采用 FEL 技术。尽管马斯克要搞 FEL 只是一种猜想，但仍引起业界人士热烈讨论。FEL 具备高功率、高相干、波长可调和，以及更高能效等优势，理论上可以将光刻光源从 13.5nm、推向 6nm 甚至更短波长。不过，庞大的加速器系统、成本及量产稳定性仍是产业化最大挑战。（信报）
美股盘前要闻一览：马斯克瞄准EUV光源，Meta发布轻量化版AI模型
Odaily星球日报讯 美股盘前，投资者需重点关注的市场财经要闻如下： 1、美三大股指期货集体转为下跌。道琼斯指数期货跌 0.10%，标普 500 指数期货跌 0.05%，纳斯达克 100 指数期货跌 0.08%。 2、国际油价集体反弹。WTI 原油期货价格涨 1.84%，报 79.622 美元/桶；布伦特原油期货价格涨 1.74%，报 85.005 美元/桶。 3、国际金银现货涨跌互现。现货黄金价格跌 0.32%，报 4327.33 美元/盎司；现货白银价格涨 0.38%，报 63.76 美元/盎司。 4、欧洲三大股指多数上涨。英国富时 100 指数跌 0.22%，法国 CAC40 指数涨 0.13%，德国 DAX30 指数涨 0.25%。 5、英伟达将向电力基础设施商 Lancium 投资最高 30 亿美元，旨在应对电力短缺、保障下一代 Vera Rubin 架构部署。 6、马斯克正瞄准芯片制造核心环节：EUV 光源。他对自由电子激光（FEL）技术表现出明显青睐。其理论上可大幅降低先进芯片生产成本，但目前仍处于早期研发阶段。 7、集邦咨询预计由于以存储器为首的零部件价格上涨，苹果 iPhone 18 系列整机成本年增幅达 38%左右。苹果或调整毛利策略以控制涨幅、稳健出货。 8、Meta 发布轻量化版 AI 模型 Muse Glimmer，含有 300 亿个参数，单张显卡即可运行。用户可进行本地化、定制化部署。Meta 盘前涨超 2%。 9、台积电与索尼计划联合投资约 1 万亿日元（约合 63.2 亿美元），共同研发和生产新一代图像传感器芯片。最早有望于 2029 年实现商业化。 10、阿里云据悉已将大型 AI 数据中心的交付工期缩短至 100 天，计划今年将模块化数据中心的全球产能提升两倍以上。 11、摩根大通两个月内第二次上调标普 500 指数目标位至 8,000 点，称 AI 投资开始通过客户需求实现变现。
投行Stifel将美光科技目标价上调至1500美元
Odaily星球日报讯 据市场消息：投行 Stifel 将美光科技(MU.O)目标价从 550 美元上调至 1500 美元。(金十)
受USDH停运影响，Felix DEX将于6月20日完成全面清算
Odaily星球日报讯 去中心化衍生品平台 Felix 宣布，受稳定币 USDH 停运影响，基于 HIP-3 的 Felix DEX 及所有在运行市场将于 6 月 19 日开始逐步关闭，并于 6 月 20 日完成全部清算。平台提醒交易者在此之前关闭持仓。各市场将按顺序依次结算，相邻市场间隔一小时。 社区成员 Shaunda Devens 披露，USDH 确实是 Felix 关闭原因之一，但 Felix 选择彻底关闭 DEX，而非继续作为 HIP-3 部署者上线 USDC 交易对。虽然并非直接受到 TradeXYZ 冲击，但由于 TradeXYZ 主导了主要市场，其他部署者只能转向细分市场，而这些市场难以覆盖拍卖成本，也无法证明质押 50 万枚 HYPE 的机会成本合理。
三星电子计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用
火星财经消息,三星电子计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于2nm的SF2和1.4nm的SF1.4两个近期节点来说，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在1nm级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。考虑到三星晶圆代工此前将2029年设定为SF1.4的量产时点并计划在2030年推出改进型SF1.4+，其1nm节点最快也要到2030年才会推出。 （ZDNET Korea）
三星计划 2030 年 1 纳米工艺导入 High-NA EUV 技术
ChainCatcher 消息，三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队朴昌民在“2026 下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从 1 纳米（A10）工艺开始应用 High-NA EUV 技术，目标在 2030 年左右实现量产。三星目前在 2 纳米及以下工艺中仍采用现有 0.33 NA EUV 的多重图案化方案，计划 2029 年量产 1.4 纳米，后续再推进至 1 纳米。 High-NA EUV 将透镜数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化，有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性。但该技术难度高、设备昂贵，且需要配套材料技术同步升级。朴昌民预计 1.4 纳米和 1 纳米工艺仍以 0.33 NA EUV 多重图案化为主流，此后 High-NA 图案化将成为新一代工艺的核心技术。