消息称SK海力士推进EUV工艺 开始引入新材料PSM
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三星电子计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用
火星财经消息,三星电子计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于2nm的SF2和1.4nm的SF1.4两个近期节点来说，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在1nm级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。考虑到三星晶圆代工此前将2029年设定为SF1.4的量产时点并计划在2030年推出改进型SF1.4+，其1nm节点最快也要到2030年才会推出。 （ZDNET Korea）
三星计划 2030 年 1 纳米工艺导入 High-NA EUV 技术
ChainCatcher 消息，三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队朴昌民在“2026 下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从 1 纳米（A10）工艺开始应用 High-NA EUV 技术，目标在 2030 年左右实现量产。三星目前在 2 纳米及以下工艺中仍采用现有 0.33 NA EUV 的多重图案化方案，计划 2029 年量产 1.4 纳米，后续再推进至 1 纳米。 High-NA EUV 将透镜数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化，有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性。但该技术难度高、设备昂贵，且需要配套材料技术同步升级。朴昌民预计 1.4 纳米和 1 纳米工艺仍以 0.33 NA EUV 多重图案化为主流，此后 High-NA 图案化将成为新一代工艺的核心技术。
阿斯麦：英特尔实现High NA EUV高数值孔径光刻量产应用
火星财经消息 7月15日消息，阿斯麦宣布，英特尔代工已在Intel 18A工艺节点上，利用阿斯麦高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术量产部分Intel Core Ultra Series 3（代号Panther Lake）处理器，成为全球首家实现High NA EUV逻辑芯片高产量出货的企业。双方表示，Intel 18A部分工艺层已完成High NA EUV双重认证，产品良率已达到现有NXE EUV平台水平，并将继续推进该技术在未来制程节点的应用。（广角观察）
SK海力士加速Y1工厂建设 现已开始订购DRAM制造设备
火星财经消息,SK海力士已开始向主要合作伙伴订购Y1工厂所需的先进DRAM制造设备，初期投资规模对应月产2万片晶圆的生产能力。Y1是SK海力士在京畿道龙仁市处仁区远三面一带建设的大规模半导体集群中的第一座工厂。一期工厂由2个厂房骨架和6个洁净室组成。首座洁净室（ph1）的投产时间已从原计划的2026年5月提前至2026年2月。 （ZDnet Korea）
消息称三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%
Odaily星球日报讯 据业内人士 3 日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度 DRAM 的平均售价比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）
美国正式对DRAM设备及其下游产品和组件（II）启动337调查 三星电子、谷歌、英伟达等为列名被告
火星财经消息,据中国贸易救济信息网，7月15日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定动态随机存取存储器（DRAM）设备及其下游产品和组件（II）（Certain Dynamic Random Access Memory (DRAM) Devices, Products Containing the Same, and Components Thereof (II)）启动337调查（调查编码：337-TA-1511）。韩国Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon, Republic of Korea、美国Samsung Electronics America, Inc., Plano, Texas、美国Samsung Semiconductor, Inc., Plano, Texas、美国Google LLC, Mountain View, California、美国Super Micro Computer, Inc., San Jose, California、美国NVIDIA Corp., Santa Clara, California、美国Broadcom Inc., Palo Alto, California为列名被告。(财联社)