近两个月吸金120亿美元，美国存储芯片ETF DRAM连续8周获资金流入
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全球存储ETF纳入长鑫科技，中国DRAM龙头获国际资本关注
火星财经消息，8 月 3 日，全球首只纯内存主题 ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）完成最新调仓，将中国 DRAM 厂商长鑫科技纳入前十大持仓，权重为 2.52%，位列第八大重仓股。 数据显示，DRAM 同期下调 A 股存储企业兆易创新持仓比例，其权重由 2.91% 降至 1.51%，排名下降至第十位。长鑫科技成为该 ETF 中权重最高的中国存储标的。 市场人士表示，长鑫科技被纳入全球存储主题 ETF，意味着国际资本开始进一步关注中国 DRAM 产业发展。目前，长鑫科技已与三星电子、美光科技、SK 海力士等全球存储厂商共同出现在同一投资组合中。 长鑫科技于 7 月 27 日登陆科创板，发行价 8.66 元，上市首日收盘报 49 元，单日涨幅 465.82%。截至 8 月 3 日收盘，公司股价报 54.99 元，总市值约 3.68 万亿元。根据 Omdia 数据，2025 年第四季度长鑫科技全球 DRAM 市场份额约 7.67%，排名全球第四。 Roundhill Memory ETF 于 2026 年 4 月 2 日在美国 Cboe BZX 交易所上市，是全球首只专注内存芯片领域的主题 ETF。数据显示，该 ETF 上市三个月规模已突破 250 亿美元，前十大持仓包括三星电子、美光科技、SK 海力士、西部数据、希捷科技、闪迪、铠侠控股、长鑫科技、南亚科技和兆易创新。 近期全球存储芯片股出现调整，8 月 3 日韩国综指下跌 5.12%，三星电子和 SK 海力士股价均下跌近 9%。摩根士丹利认为，近期杠杆资金出清可能为 AI 和工业周期投资提供新的入场机会。
数据：Roundhill DRAM 基金本周减持约 4.32 亿美元三星电子
ChainCatcher 消息，美国 ETF 管理机构 Roundhill 本周对 DRAM 主题基金进行重大调仓，除此前报道的将 CXMT（长鑫科技）纳入持仓，权重 2.52% 之外，还对三星电子进行减持。 Roundhill DRAM 主题基金周一至周三每日减持约 100 万股三星电子，三日合计出售 300 万股，约 4.32 亿美元。 Roundhill DRAM 主题基金前三大持仓目前分别为三星电子、美光科技和 SK 海力士，权重分别为 26.39%、24.54% 和 22.77%。其他主要持仓包括希捷科技、西部数据、闪迪、铠侠、南亚科技及兆易创新。
消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发
火星财经消息,近日，据业内人士透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。 （TheBell）
美国杠杆ETF市场敞口升至4200亿美元，过去三周增加超1000亿美元
Odaily星球日报讯 The Kobeissi Letter 在 X 平台发文表示，美国上市杠杆 ETF 的市场敞口已升至 4200 亿美元，为 7 月初以来最高水平，过去三周增加超 1000 亿美元；同期资产管理规模（AUM）增加约 400 亿美元至 1800 亿美元。 其表示，AUM 与市场敞口之间的差距来自杠杆效应，目前杠杆 ETF 的实际市场敞口约为其名义 AUM 的 2.5 倍。按照当前增速，市场敞口和 AUM 最快可能于下月超过今年 6 月创下的历史高点。
苹果测试长鑫存储内存芯片，PC厂商已率先采用国产DRAM
火星财经消息，据《华尔街日报》报道，苹果正在测试中国DRAM厂商长鑫存储（CXMT） 的内存芯片，计划应用于iPhone和MacBook等产品线。此举背景是AI需求推高全球内存价格，苹果曾向美方游说称当前来自韩系及美系供应商的定价“不可持续”。报道称，苹果正寻求白宫批准与中国芯片供应商开展业务，目前美国允许采购商用现货芯片但限制定制化产品。长鑫存储近期市场份额快速扩大，第二季度营收同比增长超8倍，全球DRAM市占率升至7%，并于上月完成科创板IPO。与此同时，惠普、宏碁等PC厂商已开始在非美国市场销售的部分设备中使用长鑫存储内存芯片，以缓解供应压力。苹果若最终达成采购协议，可能面临华盛顿方面的政治阻力。
韩媒：苹果要求长鑫存储降价遭拒，三星与SK海力士DRAM议价能力增强
BlockBeats 消息，8 月 5 日，据韩国《Digital Daily》报道，苹果近期为降低下一代 iPhone 及智能设备成本，与长鑫存储就 LPDDR5X 等移动 DRAM 供应价格展开谈判，但其进一步降价要求遭到拒绝。长鑫存储据悉坚持与三星电子、SK 海力士相近甚至更高的报价。 华为、小米等中国厂商正通过高价长期合同提前锁定长鑫存储产能，使其无需为争取苹果订单接受更低价格。随着 DRAM 供应趋紧，全球终端厂商借助中国低价零部件压低采购价格的策略正在失效。 由于主要存储厂商将更多产能转向 HBM，DDR5、LPDDR5X 等通用 DRAM 产能减少，相关产品价格持续上涨。长鑫存储吸收中国市场的大量通用 DRAM 需求，也减轻了三星电子和 SK 海力士消化低价产品的压力。 三星电子和 SK 海力士正将资源集中于 HBM4、LPCAMM2 和企业级 SSD 等高附加值 AI 存储产品，并在下半年与全球大型科技公司的长期价格谈判中获得更强议价能力。