韩媒:苹果要求长鑫存储降价遭拒,三星与SK海力士DRAM议价能力增强
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长鑫存储拟年底小规模生产LPDDR6手机存储芯片
Odaily星球日报讯 知情人士透露,长鑫存储(CXMT) 准备在今年年底前小规模生产先进低功耗存储芯片 LPDDR6,若原型测试顺利,公司后续将推进量产。LPDDR6 是面向智能手机和笔记本电脑的下一代低功耗存储芯片,可提升数据传输速度和能效表现,并支持本地 AI 应用运行。(BloomBerg)
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
SK海力士将于下半年量产 LPDDR6,首批供货小米旗舰手机
火星财经消息,SK海力士宣布将于今年下半年正式量产 16Gb LPDDR6 低功耗移动DRAM,首批产品将搭载于小米下一代旗舰智能手机。该产品于 3 月 完成开发,采用 10nm 级第六代(1c) 工艺,较前代在数据处理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供应LPDDR产品,双方长期保持合作。LPDDR主要用于智能手机和平板电脑等移动设备,兼具低功耗与高性能特性。近期受AI服务器需求拉动,LPDDR价格持续走高,合约价格不断上涨,第一季全球移动DRAM营收环比增长 64.5%。SK海力士与三星电子已在LPDDR6量产准备上领先于美光。此外,LPDDR6的量产有望加速 SO-CAMM(低功耗内存模组)市场的竞争,该产品被视为AI服务器CPU的配套方案。英伟达CEO黄仁勋曾于 6 月 在台北国际电脑展上到访SK海力士展台,为 192GB SO-CAMM留下 “LOVE SOCAMM” 题词。
分析师:长鑫上市首日暴涨,但仍难改变全球DRAM竞争格局
Odaily星球日报讯 Milk Road AI 分析师在 X 上发文就长鑫科技股价暴涨进行分析。其表示,过去不到一年,长鑫存储的全球 DRAM 市占率从不足 4% 提升至约 7.7%-8%,今年一季度营收同比增长 719% 至 508 亿元人民币。这一增长主要受益于三星、SK 海力士和美光将更多产能转向 AI 服务器存储(尤其 HBM),导致传统 DDR5、LPDDR5 市场供应出现缺口,长鑫存储借机填补中低端 DRAM 需求。 不过,长鑫存储目前的产能远不足以满足全球需求,目前其月晶圆产能约 29 万-32 万片,低于三星约 63 万片、SK 海力士约 50 万片的规模。此外,美国对先进光刻设备的出口限制,也正在限制长鑫存储进一步扩张速度。 其认为,长鑫存储短期仍难进入 HBM 市场,因此不会改变 AI 存储供需格局。三星、SK 海力士和美光仍将在 HBM、服务器 DRAM、LPDDR5X 等高利润产品中保持优势,全球存储短缺周期或仍将持续。
机构:HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定
火星财经消息,DigiTimes报告显示,受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响,下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性:其生产周期长达四到六个月,且初始良率显著偏低;另一方面,HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍,严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是,当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。据DigiTimes预测,到2027年,全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)