长鑫存储成小米玄戒 O3 的 LPDDR6 内存核心合作伙伴
相关推荐
长鑫存储系小米玄戒O3的LPDDR6内存核心合作伙伴
火星财经消息 8月24日，小米正式发布玄戒O3芯片。新一代玄戒O3芯片是全球首个支持LPDDR6内存芯片的旗舰移动处理器（SoC）。从供应链获悉，国内存储龙头长鑫存储（CXMT）是小米玄戒O3的LPDDR6内存核心合作伙伴。 今年3月，已有消息传出长鑫LPDDR6已经给关键客户送样，8月初，多家媒体报道长鑫LPDDR6已接近验证尾声。本次随玄戒O3芯片落地，是国产LPDDR6芯片产品首次在旗舰级处理器芯片上实现应用，也意味着国产低功耗内存正式跻身全球第一梯队。 (财联社）
存储基板厂商 TLB 启动 SOCAMM3 基板开发
火星财经消息，韩国存储基板厂商 TLB 已与两家国内外大型存储制造商启动 AI 服务器低功耗内存模块规格 SOCAMM3 基板开发。据业界 22 日消息，TLB 近期开始与两家现有存储客户协商设计方向和制造工艺，规格尚未确定，存储厂商计划先与基板厂商完成设计后再纳入规格，实际基板量产预计在 2028 年。SOCAMM 将移动端低功耗 DRAM 做成可拆卸的 AI 服务器模块，由英伟达率先用于自有 AI 服务器，SOCAMM2 已发展为 JEDEC 标准。目前英伟达 Vera CPU 旁每颗 CPU 搭载 8 个基于 LPDDR5X 的 SOCAMM2，单颗 CPU 最大容量 1.5TB、带宽每秒 1.2TB。SOCAMM2 基板需经过五次叠层，SOCAMM3 叠层次数将增加，微孔加工等工艺难度上升。适用系统尚未公开，2028 年量产时点与英伟达路线图重合，英伟达今年 3 月在 GTC 宣布将于 2028 年推出 Feynman GPU 与新 CPU Rosa。TLB 的 SOCAMM2 基板已于今年初量产，二季度产量和销售额较前一季度增长三倍以上，生产时间与单价均约为既有模块基板的两倍。业界预计今年 TLB 的 SOCAMM 基板销售额约 700 亿韩元，明年约 1400 亿韩元。券商预计公司今年整体营收约 3500 亿至 3700 亿韩元，同比增长约 40%，明年约 4500 亿韩元。公司下月将在越南北宁省安丰产业园开工建设二厂，目标明年四季度投产，但 SOCAMM 基板短期内仍仅在安山总部生产。
分析：中国存储由 CXMT、YMTC、XMC 三家分工
火星财经消息，研究人士 Schulz_Research 发文称，中国存储推进已不再是单一公司故事，而是三家分工：CXMT 负责 DRAM 晶圆，YMTC 负责 NAND 并在最新工厂加入 DRAM，YMTC 控制的代工厂 XMC 负责堆叠二者产品。该分工对应北京自去年 12 月下旬起的规则，即新工厂获批须采购标书显示至少一半设备国产，仅在无国产选项时给予豁免。YMTC 武汉三期是首个通过该规则的先进存储项目，将于今年晚些时候投产。CXMT 运营三座 300mm DRAM 工厂，各约每月 10 万片晶圆；模型显示其 2026 年底达 35 万片，若所有已宣布项目完工总量将超 60 万片。YMTC 武汉前两座工厂合计 20 万片，三期 2027 年达 5 万片、满产 10 万片，另拟再建两座同等规模工厂。XMC 两座 12 英寸工厂各约 3 万片，另有 HBM 封装线约每月 3000 片。中国供应全球约 10% DRAM 比特，YMTC 二季度占 NAND 比特出货 14%，中国消费全球存储约 30%。CXMT 已量产 DDR5 与 LPDDR5，计划今年启动 HBM3 量产并已向国内 AI 硬件开发商送样。XMC 用两年时间基于混合键合与 YMTC 堆叠 IP 建设 HBM 封装，仍在推进 TSV 工艺。
英伟达 Vera Rubin 平台内存成本占比升至 62%，SOCAMM2 成主要驱动
火星财经消息，据瑞银对 Vera Rubin 超芯片物料清单（BOM）的分析，内存半导体在该平台总成本中的占比已升至约 62 %，较上一代 Blackwell Ultra（GB300）的 53 % 大幅提升。Vera Rubin 超芯片（含 1 颗 Vera CPU 和 2 颗 Rubin GPU）总成本约 38,902 美元，其中内存相关成本达 24,297 美元。HBM4 成本约 4,943 美元（占总成本 12.7 %），而连接 CPU 的 SOCAMM2 成本约 19,355 美元（占总成本 49.8 %），成为内存成本上升的核心驱动。SOCAMM2 是基于低功耗 DRAM LPDDR5X 的服务器内存模组，支持单 CPU 最高 1.5TB 容量。Vera Rubin NVL72 机柜（含 72 颗 Rubin GPU 和 36 颗 Vera CPU）共搭载 74.7TB DRAM，其中 HBM4 为 20.7TB，CPU 用 LPDDR5X 达 54TB，单机柜的 LPDDR 用量相当于约 4,500 部高端智能手机。不过，受 LPDDR5X 及 HBM4E 供应不确定性影响，英伟达正考虑下调下一代 Rubin Ultra 的 HBM 配置。
长鑫存储拟年底小规模生产LPDDR6手机存储芯片
Odaily星球日报讯 知情人士透露，长鑫存储（CXMT） 准备在今年年底前小规模生产先进低功耗存储芯片 LPDDR6，若原型测试顺利，公司后续将推进量产。LPDDR6 是面向智能手机和笔记本电脑的下一代低功耗存储芯片，可提升数据传输速度和能效表现，并支持本地 AI 应用运行。（BloomBerg）
长鑫科技LPDDR6接近研发验证尾声
火星财经消息 8月1日，行业人士透露，长鑫存储的LPDDR6（第六代低功耗双倍数据速率内存标准）已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。今年3月便有市场消息称，长鑫科技旗下的长鑫存储在积极推进LPDDR6产品落地，并已向核心客户送样，有望2026年下半年发布并实现量产导入。相关信息称长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800 Mbps，与SoC（系统级芯片）协同的运行基础速率为10667Mbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball（焊球）的POP（堆叠）封装，在低功耗设计、RAS（可靠性、可用性和可维护性）功能比LPDDR5X（LPDDR5的强化版）产品有明显优化提升。 (第一财经)