SK海力士拟深化与日本存储产业合作，并推进美国HBM封装基地建设
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SK hynix计划向清州投资100万亿韩元扩建NAND工厂
Odaily星球日报讯 SK hynix CEO Kwak Noh-jung 7月2日在忠清圈尖端产业发展愿景国民报告会上表示，SK hynix计划向清州投资100万亿韩元，用于扩建NAND工厂及先进封装设施。 具体而言，SK hynix将向生产NAND的M17工厂投资80万亿韩元，并向先进封装工厂P&T7投入20万亿韩元。M17计划明年开工，目标于2029年上半年投产；P&T7计划于2027年底完工。
闪迪专利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同
火星财经消息 6月22日消息，闪迪近日披露一项专利显示，公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构：将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上，并置于中介层，周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问，NAND层承担大容量读写与存储任务。 该设计旨在缓解HBM容量受限问题（单堆约32–64GB）。此前闪迪提出HBF架构，通过TSV垂直堆叠NAND，容量可达4TB，较HBM提升8–16倍，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM，NAND具备更高容量与更低成本，但访问速度更慢。新架构通过3D分层，实现了两者的完美互补。（钛度车库）
全球NAND前五大厂Q2营收合计688.7亿美元环比增77%，美光超越铠侠升至第三
BlockBeats 消息，8 月 18 日，TrendForce 发布数据，2026 年第二季度全球 NAND 闪存前五大厂商合计营收达 688.7 亿美元，环比增长 77%，主要受 AI 服务器带动企业级 SSD 需求激增及合约价格上调推动。三星电子营收 230.6 亿美元环比增 70.7% 维持第一，但因竞争者增速更快，市占率从 31.6% 降至 29.3%。SK 海力士营收 142.7 亿美元环比增 89.5% 保持第二，321 层工艺扩张与高容量 QLC 企业级 SSD 需求增长推动市占率从 17.6% 升至 18.2%。美光以 99.2% 的营收增速成为前五大厂中增长最猛的一家，营收达 118.5 亿美元，市占率从 13.9% 升至 15.1%，超越铠侠成为第三。 铠侠营收 107.2 亿美元环比增 79.9%，市占率微降至 13.6%；闪迪营收仅增 50.7%，在前五大厂中增速最低，市占率从 13.9% 跌至 11.4%。TrendForce 展望称，三季度 AI 服务器企业级 SSD 需求将保持稳健，而主要 NAND 厂商将投资集中于 DRAM 和 HBM，NAND 新增供给有限，价格上行趋势有望持续带动行业整体营收继续增长。
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
SK海力士财报：Q2营业利润60.5万亿韩元低于市场预期，已实现HBM4量产出货，预计资本支出将达高位
BlockBeats 消息，7 月 29 日，SK 海力士财报披露，第二季度已实现 HBM4 量产出货，并将于下半年扩大生产与供应；HBM4E 样品上半年已交付，采用最优制程工艺。公司强调将凭借高质量、高良率、稳定供应、成本竞争力及最高性能，持续巩固 HBM 领先地位。同时已与 10 家客户签署长期芯片供应协议，以提升中长期需求可见性并应对价格波动，正评估额外股东回报措施以增强回报规模与持续性。预计 2026 年资本支出将达到 40 万亿韩元区间高位。 第三季度 DRAM 出货量预计环比增长约 10%，NAND 出货量环比增长处于低个位数水平。随着供应紧张缓解和 AI 应用扩展，智能手机与 PC 增长势头将逐步恢复，但因内存供应挑战，相关销售将临时调整。AI 模型与软件效率提升将扩大使用可及性并推动基础设施需求。2026 年 DRAM 市场需求同比增长预计处于 20%-30% 区间中部，NAND 同比增长处于 10%-20% 区间高端。