美股开盘，高通(QCOM.O)涨 5%
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台积电将于 2030 年起量产采用 ASML 高 NA EUV 光刻机
ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。
三星与ASML合作开发下一代EUV光刻掩模版
BlockBeats 消息，9 月 9 日，据首尔经济日报，三星电子将与全球最大的光刻设备制造商 ASML 共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作，即将自 20 世纪 80 年代以来一直使用的 6 英寸光掩模版转向 12 英寸版本，并力争率先基于高 NA EUV 设备建立 DRAM 量产体系。 三星计划从 2028 年开始将高 NA EUV 设备应用于 DRAM 生产，随后进一步将这项技术扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补 EUV 技术的局限。高 NA EUV 的数值孔径比传统 EUV 高 66%，能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的 6 英寸掩模版替换为 12 英寸掩模版，可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
Gate 已派发阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的现金股息
火星财经消息，Gate 已完成阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的本期现金股息派发。平台已按比例向快照时间内持有相关股票的用户完成 USDT 派息结算，全程自动处理，用户无需任何操作。本次派息覆盖企业派息日为 2026-08-03 至 2026-08-07 的相关美股标的，涵盖科技与半导体、金融服务、能源、消费品、医疗健康、工业制造、地产 REITs、公用事业、材料制造、传媒娱乐、电信及策略 ETF 等多个行业板块。代表性标的包括阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 、好市多 (COST) 、通用动力 (GD) 等。
美股三大指数集体收跌，INTC大涨9.05%，BNC大涨50.43%收报5.25美元
火星财经消息，9 月 9 日，据 BIT（Bit.com）行情数据显示，美股收盘，三大指数集体收跌，道指日内跌 0.52%，纳指跌 0.21%，标普 500 指数跌 0.34%。其中芯片股 AMD 大涨 5.9%、INTC 大涨 9.05%、QCOM 涨 3%： 光模块方面：COHR 涨 7.1%、LITE 涨 11.04%、AAOI 涨 5.7%、NOK 涨 6.18%、MRVL 涨 0.83%。 存储方面：SKHY 涨 4.8%、STX 涨 6.49%、WDC 涨 2.14%、SNDK 跌 0.21%、MU 跌 1.61%。 BNB 财库股 BNC 在链上币股行情带动下，单日大涨 50.43%，收盘价报 5.25 美元。其余主流加密股普跌，其中：BLSH 跌 1.31%、CRCL 跌 5.75%、MSTR 跌 4.4%、COIN 跌 3.09%。
ASML 推进新一代光刻机升级，瞄准大型数据中心芯片市场
ChainCatcher 消息，ASML 表示，计划与其主要客户合作，开发能够生产最先进芯片制造设备的新方案，以满足英伟达等公司设计的大型数据中心芯片需求。目前 ASML 生产的被广泛应用的极紫外 EUV 光刻机可制造面积最大约 800 平方毫米的芯片，ASML 即将推出的下一代“高数值孔径”EUV 光刻机，能够制造出更为精细的芯片。不过，由于其采用尺寸较小的掩模版，目前在可制造芯片面积方面受到限制。ASML 计划到 2031 年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并在 2033 年使这项新技术具备大规模量产能力。
阿斯麦赢得台积电和三星承诺，使用其新一代EUV光刻机
火星财经消息 9月8日，荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）连续发布三则公告，宣布与台积电、三星电子及英特尔晶圆代工（Intel Foundry）推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。其中，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产。英特尔则表示，目前已处理超过100万片采用High NA相关技术的晶圆。（广角观察）