大摩预计明年全球云端支出破万亿美元，存储超一半
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上海：围绕高性能计算芯片（GPU/NPU）、量子芯片（QPU）、高速光互连（CPO）、高带宽内存（HBM）及异构服务器等核心环节 推动自主芯片与主流大模型深度融合
火星财经消息,上海市经济和信息化委员会印发《上海市软件和信息服务业发展“十五五”规划》。其中提到，攻坚下一代模型架构，推动基于状态空间模型、循环神经网络变体、液态神经网络等非Transformer架构的多技术路线探索。加快布局物理智能、世界模型、量子智能、类脑智能等前沿基础模型技术体系。攻关超大规模智能算力集群组网技术，围绕高性能计算芯片（GPU/NPU）、量子芯片（QPU）、高速光互连（CPO）、高带宽内存（HBM）及异构服务器等核心环节，提升智算硬件的供给能力，推动自主芯片与主流大模型深度融合。聚焦新型存储检索、数模协同等，突破高精度异构处理、原生多模态融合及动态价值对齐等关键技术，建设覆盖语料全生命周期的自动化复杂推理。(财联社)
英伟达考虑降低Rubin Ultra GPU配置，以缓解HBM供应短缺
PANews 8月7日消息，据The Information报道，英伟达正在考虑调整下一代Rubin Ultra GPU的设计方案，通过减少高带宽内存（HBM）配置来应对先进HBM芯片供应紧张问题。 知情人士透露，过去几周英伟达已测试至少三种不同版本的Rubin Ultra GPU，其中部分版本搭载的显存容量低于公司此前公布的规划。英伟达考虑推出低显存版本，主要原因是市场可能无法获得足够数量的先进HBM芯片。 HBM是AI加速器的关键组件，能够提供更高的数据传输速度，成为训练和推理大型AI模型的重要基础。随着AI算力需求快速增长，HBM供应已成为限制高端AI芯片产能的重要因素之一。
美股盘前要闻一览：光通信、存储板块盘前大涨；全球最小GPU芯片通过实测；机构称英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨1.25%，标普500指数期货涨0.35%，纳斯达克100指数期货涨1.11%。2、国际油价集体下挫。WTI原油期货价格跌3.33%，报77.663美元/桶；布伦特原油期货价格跌2.57%，报81.621美元/桶。消息面上，美财长贝森特称，美国可能明日与伊朗达成协议以开放霍尔木兹海峡。3、国际金银现货集体走高。现货黄金价格涨0.43%，报4072.67美元/盎司；现货白银价格涨2.72%，报59.74美元/盎司。4、欧洲三大股指集体上涨。英国富时100指数涨0.34%，法国CAC40指数涨0.32%，德国DAX30指数涨0.82%。5、美股光通信板块盘前大幅拉升，Coherent涨超13%，Lumentum涨超12%，康宁、迈威尔科技涨近8%。存储股普涨，闪迪涨超5%，美光科技、SK海力士涨超4%。6、AI应用股Palantir盘前大涨15%。公司二季度营收19.4亿美元，高于市场预期，并上调全年营收指引至81.5亿-81.6亿美元。7、全球最小GPU芯片TinyGPU v2.0据悉通过实机测试。该芯片约有24万个晶体管，具备4-bit双缓冲，以及存储在QSPI RAM中的8-bit深度缓冲。8、SpaceX正在设计其卫星系统，以适应由人工智能、机器学习和边缘计算驱动的数据需求的爆炸式增长，其目标是部署一个最多达一百万颗卫星的系统。与此同时，SpaceX将于今晚美股盘后交出其上市后的首份成绩单。9、集邦咨询表示，DRAM供不应求格局将延续至2027年，英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置。部分云端服务供应商也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。10、马斯克7月单月身价缩水3630亿美元，这一缩水幅度超过了全球第2至第10大富豪中任何一人的全部身家。(财联社)
三星电子拟扩产 4 纳米应对 HBM4 需求
火星财经消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；
台积电暂用微凸块封装 HBM，要求开发 5μm 方案
火星财经消息，据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电预计短期内继续使用传统微凸块技术而非混合键合，用于连接高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器的先进封装。考虑到相关材料开发周期，更细间距微凸块预计将沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期。台积电已要求材料和设备合作伙伴开发约 5 微米级凸块的键合和底部填充解决方案，韩国和日本供应商已开始开发，5μm 级凸块量产预计于 2028 年下半年开始。目前第三代扩展 HBM 即 HBM3E 的凸块高度约 15–25μm，HBM4 接近约 10μm。日本材料供应商此前表示难以保证 15μm 以下品质。缩短并细化凸块是因为 HBM 立方体高度限制及更高互连密度需求。JEDEC 规定 HBM 堆叠最大高度为 775μm。在台积电先进 CoWoS 封装中，GPU 与存储器供应商已组装的 HBM 堆叠通过微凸块安装到硅中介层上，16 层 DRAM 晶粒堆叠由 SK hynix 和三星电子等在 HBM 封装内完成。第一代和第二代 HBM 使用较大焊料凸块，微凸块在 HBM3 代左右成为主流。SK hynix 使用 MR-MUF 工艺，三星电子使用 TC-NCF。混合键合通过直接键合铜焊盘可实现更薄更密互连，台积电已在 SoIC 平台用于逻辑芯片堆叠，但 HBM 仍以微凸块连接中介层。
韩媒：三星正开发8层HBM4E，以满足英伟达要求
火星财经消息，8 月 28 日，据《首尔经济日报》报道，三星电子正按照英伟达要求开发 8 层 HBM4E 产品，拟用于英伟达定制高带宽存储器 NVHBM。该方案较三星原先准备的 12 层和 16 层产品减少堆叠层数，英伟达提出的目标速度为 17 至 18Gbps，较三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps 提高约 20%。 采用 8 层设计可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装难度，减轻良率压力并提高供应能力。NVHBM 可能从预计明年推出的 Rubin Ultra AI GPU 开始应用。Rubin Ultra 的 GPU 互连规模将由现有 72 颗扩大至最多 576 颗，以更多高速 GPU 协同弥补单颗 GPU 存储容量下降。 三星同时具备 DRAM、逻辑芯片及基础裸片的设计和生产能力，可为定制 HBM 提供一站式服务。业内人士认为，三星已在 HBM4 上展示较高传输速度，在英伟达将竞争重点由高堆叠转向高速传输后，其相关能力可能获得更多关注。