消息称三星手机 2026 年四季度最高减产 30%
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美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
长鑫LPDDR6芯片首发亮相，搭载于小米18Fold折叠旗舰手机
BlockBeats 消息，9 月 7 日，据长鑫存储官方公众号消息，其自主研发的 LPDDR6 芯片已实现量产商用，首发搭载于小米 18Fold 折叠旗舰手机，这是全球范围内 LPDDR6 产品首次在旗舰手机端落地商用。 此前据长鑫半年报披露，长鑫 LPDDR6 芯片性能较上一代 LPDDR5X 实现全面跃升：通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达 12800Mbps，芯片最高容量 16GB。 LPDDR6 是当前国际最新一代 LPDDR 产品，2025 年 7 月国际标准组织 JEDEC 首次发布 LPDDR6 标准，今年 3 月业内已传出长鑫 LPDDR6 产品已送测的消息。长鑫从对齐标准、产品送样、验证到量产商业化，最终成功实现 LPDDR6 全球首发。 在 AI 需求爆发的趋势下，LPDDR6 被视为端侧 AI 算力释放的关键支柱，应用场景涵盖智能手机、PC 等设备，并延伸至智能座舱、AI 数据中心等，也为国产手机等终端厂商抢占 AI 机遇奠定了关键基础。
三星 Galaxy Z Fold8 DDI 供应紧张，拟动用明年开发用量
火星财经消息，三星电子今年首次推出的护照类型折叠屏手机 Galaxy Z Fold8 显示驱动芯片 DDI 供应紧张。Z Fold8 需求超出预期，三星正增加零部件订单，但该 DDI 由三星系统 LSI 事业部设计、台湾晶圆代工厂 UMC 以 22 纳米工艺生产，UMC 该工艺产能已达极限，难以提前生产日程。业内人士称，UMC 22 纳米产线同时生产其他芯片，三星曾要求超级加急服务但遭拒。三星计划将原为明年开发预留的 DDI 用量优先投入今年量产。普通投片至成品约需 4 个月，成品再与三星显示 OLED 贴合后组装成机。三星同时增加铰链及超薄玻璃 UTG 订单。Z Flip8 需求符合预期偏低，苹果今年下半年亦计划推出护照类型折叠产品。
机构：Q2 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长
火星财经消息 9月7日，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用，第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。（广角观察）
存储厂商南亚科再上调DRAM合约价，最高涨幅或达20%
动察 Beating AI 快讯，据台媒报道，中国台湾地区存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再次上调 DRAM 合约价格，最高涨幅或达 20%。对于相关市场传闻，南亚科回应称，客户报价相关事宜不予置评。业内认为，新一轮涨价有望逐步传导至市场，并推升南亚科平均售价（ASP）及盈利水平。 TrendForce 集邦咨询预计，2026 年第四季度 DRAM 整体仍处于供不应求状态，普通 DRAM 合约价环比上涨 10% 至 15%；消费级 DRAM 因大厂持续减产，供给高度依赖中国台湾厂商，价格仍将延续上行。 AI 算力需求增长正持续推升服务器 DRAM 及 HBM 需求，而先进制程产能向高性能产品倾斜，进一步压缩传统 DRAM 供给弹性。三星、SK 海力士和美光近期均在扩大或调整 DRAM、HBM 相关产能与封装布局。 美光 CEO 此前表示，在需求持续增长及新增产能有限的情况下，目前尚未看到 DRAM 供需恢复平衡的明确拐点，并预计 HBM 需求增速将持续高于传统 DRAM 至 2028 年。
三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。