巴克莱报告：DDR4现货三个月内涨24% 芯片降规格应对短缺引关注
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Zano 因 Gateway Address 漏洞重启区块链，回滚约一个月历史
火星财经消息，隐私区块链 Zano 发布网络更新公告称，核心团队发现 Gateway Address 存在严重漏洞，导致未经授权的 ZANO 和 fUSD 进入流通。调查显示，钱包的支付密钥或普通交易的隐私未受侵害，Zano 的核心共识机制也未受影响。团队已制定解决方案，通过协调网络升级清除所有未授权活动。为确保网络完整性，Zano 区块链已从区块高度 3,833,000（即第 6 次硬分叉之前）重启，影响约一个月的链上历史记录。节点、矿工、质押者和相关服务需尽快采用紧急更新。团队表示将与受影响项目合作处理损失，并公布赔偿与索赔流程，力求让社区得到补偿。后续将公开技术原因及相关代码审查结果。
澜起科技成功量产DDR5第五子代RCD芯片
火星财经消息 9月28日，澜起科技今日宣布，其DDR5第五子代寄存时钟驱动器芯片（RCD05）已成功实现量产。该产品面向高性能DDR5 RDIMM内存模组，旨在满足数据中心、AI服务器等应用对高带宽、高可靠性内存系统日益增长的需求。（广角观察）
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
美光展示全球首款 512GB DDR5 模组，计划 2027 年量产
火星财经消息，美光展示全球首款面向服务器的 512GB DDR5 RDIMM 内存模组，运行速度最高达 9200 MT/s。AMD 与 Intel 正在针对未来平台进行验证。该模组通过硅通孔垂直堆叠 DRAM 芯片实现容量，配备 24 个模组的服务器内存可达 12 TB。单个 512GB 模组额定功耗为 16W，四个 128GB 模组合计功耗为 44.2W，降幅超过 60%。美光称，在 Spark SVM 内存密集型分析场景中，相较 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。该产品延续美光今年早些时候送样的 256GB DDR5 RDIMM（同样最高 9200 MT/s，采用 1-gamma DRAM 与 3D 堆叠），计划 2027 年量产，尚未公布定价。
三星电子据报将新增DDR5内存模组产能全部交由外包
火星财经消息 9月16日，据报道，三星电子计划将新增的传统内存模组产能全部交由封装测试（OSAT）合作伙伴扩充，重点生产用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR5内存模组及固态硬盘（SSD），自身产能则集中于高带宽内存（HBM）等高价值产品。（广角观察）
美光科技：已实现 512GB DDR5 模块里程碑，预计 2027 年下半年大规模量产
ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已实现 512GB DDR5 内存模块里程碑，并预计 512GB DDR5 RDIMM 将在 2027 年下半年进入大规模量产。