美光展示全球首款 512GB DDR5 模组，计划 2027 年量产
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美股三大指数集体收跌：Intel（INTC）上涨8.93%，AMD上涨5.84%
PANews 9月9日消息，据币安行情，美股收盘，三大指数集体收跌，道指日内跌幅达0.52%，纳指日内跌幅达0.21%，标普500指数日内跌幅达0.34%。重要标的方面，Intel（INTC）上涨8.93%，AMD上涨5.84%，Circle（CRCL）下跌5.00%，SKHY上涨4.78%，MARA上涨4.52%，Strategy（MSTR）下跌4.24%。
美光演示全球首个在多服务器平台上的512GB DDR5模块 用于下一代服务器
火星财经消息,美光演示全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模块，预计2027年下半年实现量产。Micron 512GB RDIMM的性能可比256GB DDR5配置高达1.4倍。AMD和英特尔都在积极验证该模块，预计其速度将达到9200 MT/s。(财联社)
机构：Q2 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长
火星财经消息 9月7日，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用，第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。（广角观察）
Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
火星财经消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。
美光科技：已实现 512GB DDR5 模块里程碑，预计 2027 年下半年大规模量产
ChainCatcher 消息，美光科技（MU.O）表示，公司已实现 512GB DDR5 内存模块里程碑，并预计 512GB DDR5 RDIMM 将在 2027 年下半年进入大规模量产。
SK 海力士加速扩大 1c DRAM 占比，明年年初成主力
火星财经消息，据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正在加快提高 10 纳米级第六代（1c）DRAM 生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比由今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%；明年一季度或升至约 35%，首次超过 1b（约 33%）并成为主力工艺。1b（10 纳米级第五代）DRAM 占比在今年二季度约 43%见顶后转为下降。二季度末，三星电子 1c 占比约 16%、美光约 19%，均高于 SK 海力士的约 13%。报道称，SK 海力士下半年加快转换，四季度或按约 34%超过三星电子约 31%。SK 海力士在二季度业绩电话会上表示，采用 1c 工艺的 DRAM 供应自二季度起实质性展开，下半年将随 HBM4 放量及 1c 通用 DRAM 出货增加，比特增长率高于上半年。三星电子自 HBM4 起采用 1c DRAM，运行速度约 11.7Gbps；SK 海力士此前以已验证的 1b DRAM 与先进 MR-MUF 封装优先保障量产稳定性，自下一代 HBM4E 起首次将 1c DRAM 用作 HBM 核心芯片。Counterpoint Research 等预计，今年英伟达、谷歌、AMD 合计口径下 HBM4 市场份额约为 SK 海力士 50% 中段、三星电子 20% 后段、美光 10% 后段。