三星将与台积电合作生产英伟达内存芯片
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Citrini观点：三星为三大存储厂首选，有望承接NVHBM超额需求
火星财经消息，10 月 18 日，Citrini 分析师 Jukan 发文称，在三大存储厂商中他最看好三星电子。因台积电还需为英伟达 Rubin、Rubin Ultra 分配晶圆产能，难以大量承接 NVHBM 订单，唯有自有代工能力的三星能满足 NVHBM 超额需求。 韩国媒体此前报道，应英伟达要求，三星已决定采用台积电 3 纳米工艺生产 NVHBM 底座芯片。三星未完全排除自有代工，正验证在 NVHBM 需求超出台积电产能时能否自产底座芯片。
三星电子将按英伟达要求采用TSMC 3nm工艺制造NVHBM基础裸片
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，三星电子已决定应英伟达要求，采用 TSMC 3nm 工艺制造 NVHBM 基础裸片。三星电子尚未完全排除使用自有晶圆代工产线，并正在验证在 NVHBM 需求超过 TSMC 产能的情况下于内部生产基础裸片的可行性。
美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)
三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）
英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM
为帮助超大规模企业和AI创新者构建新一代半定制AI基础架构，NVIDIA推出NVIDIA NVHBM技术，进一步扩展了NVIDIA NVLink Fusion技术方案。NVHBM是一种新一代高带宽内存技术，可为XPU提供更高的内存性能和效率。通过将内存控制器集成到3D HBM堆栈，而不是集成在XPU上，与标准HBM4E相比，NVHBM可实现高达30%的内存带宽提升，将HBM功耗降低15%，并为XPU计算die释放多达25%的面积。（财联社）