下周(10月19日-25日)市场大事预告
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美股盘前要闻一览:美国通胀全线升温,SpaceX星舰扩张提案进入审理,阿斯麦称已有客户咨询2030年订单
火星财经消息,10 月 14 日,美股盘前市场重要新闻一览如下: 1、美国 9 月未季调 CPI 年率升至 3.7%,美国通胀全线升温,市场加大对美联储加息预期。 2、9 月 CPI 数据公布后,美股三大期指跳水转跌,现货金银下行,比特币跌破 8.3 万美元,美联储 10 月加息概率升至 43.7%。 3、英伟达宣布,DLSS 5 新版神经渲染模型运行速度达到 9 月版本的 2 倍,GPU 开销减半,4K 显存占用降低 20%。新模型将接入《NBA 2K27》、《霍格沃茨之遗》等游戏。 4、阿斯麦 CEO 表示,2027 年与 2028 年的设备供应将无法充分满足需求,部分客户已经开始咨询预订 2029 年甚至 2030 年的设备订单。 5、Anthropic 计划于当地时间周三在旧金山总部召集一批潜在机构投资者,举行 Pre-IPO 投资者日。届时该公司将首次公开其第三季度营收数据。 6、美联邦监管机构正在审查 SpaceX 的提案,以大幅扩展其位于得州南部星际基地设施的运营。根据该提案,SpaceX 的目标是在该设施每年进行多达 456 次发射和 912 次着陆。 7、SK 海力士高管表示,到 2030 年 AI 基础设施的性能规模将增长约 20 倍。他还表示,公司正研发下一代内存技术,包括 3D 堆叠 DRAM 和高带宽闪存(HBF),同时继续提升现有 HBM 产品性能。
下周关注中国 GDP、Meta 财报及多国重要数据
ChainCatcher 消息,下周重要事件包括中国第三季度 GDP 和 9 月社会消费品零售总额发布,Meta 和特斯拉将公布财报。此外,2026 金融街论坛年会将在北京举行,活动持续至 10 月 22 日。其他重要数据还包括美国 10 月 NAHB 房产市场指数、英国 9 月 CPI 月率及日本 9 月核心 CPI 年率。
下周宏观展望:美联储进入静默期,黄仁勋现身GTC柏林,Meta与特斯拉财报成市场焦点
火星财经消息,10 月 18 日,上周美股科技股大幅回调,纳指周跌逾 4%,市场在消化偏强通胀数据的同时,重新审视「经济打不垮」叙事。美联储已进入 10 月 28 日 FOMC 会议前静默期,官员表态缺席,本周定价更多交给科技巨头财报与景气数据:Meta、特斯拉将集中放榜,半导体与存储板块同样进入业绩披露窗口,周五欧美 PMI 初值与密歇根信心终值将检验加息路径。地缘政治上,特朗普暂停对俄全面制裁与关税执行并设约 60 天评估窗口,霍尔木兹航运受扰与中东升级风险仍支撑油价溢价。重要事件一览如下: 周二: 英伟达 GTC 柏林大会开幕(至 22 日)。 周三: 美国至 10 月 16 日当周 API、EIA 原油库存; 北京时间傍晚,英伟达 CEO 黄仁勋于 GTC 柏林发表主题演讲; 美股进入超级财报日,盘后 Meta、特斯拉、IBM、泛林集团公布财报。 周四: 美国至 10 月 17 日当周初请失业金人数; 美股盘前,诺基亚公布财报,盘后西部数据、MaxLinear 公布财报。 周五: 美国 10 月标普全球制造业、服务业 PMI 初值; 美国 10 月密歇根大学消费者信心指数终值、一年期通胀预期终值; 日本 9 月 CPI、日本 10 月综合/制造/服务 PMI 初值,市场借此观察 10 月 30 日日本央行决议前物价温度。
三星与 SK 海力士应对 HBM4E 散热,AI 中介层或扩至 40 倍
火星财经消息,TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道,随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片,连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大,下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术,应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计,承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍,最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及,单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求,多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点,可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热,三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径,三星正用 HBM4E 验证,并计划在 HBM5 导入。据 ETNews,SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料,预计可将热阻降低约 30%。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5,长鑫拟进军 NAND
火星财经消息,全球存储器持续严重缺货,AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产,长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发,三星 2025 年与其达成专利许可协议,从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产,初期约 2.5 万片 DRAM 产能,2027 年完成爬坡,瞄准 LPDDR5,并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线,估计最快 2028 至 2029 年量产。
三星电子据报将新增DDR5内存模组产能全部交由外包
火星财经消息 9月16日,据报道,三星电子计划将新增的传统内存模组产能全部交由封装测试(OSAT)合作伙伴扩充,重点生产用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR5内存模组及固态硬盘(SSD),自身产能则集中于高带宽内存(HBM)等高价值产品。(广角观察)