台积电正考虑生产3D DRAM
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AnubisChain上架美股代币SPCXon、NVDAon、AAPLon,并陆续开放多支股票交易
Odaily星球日报讯 AnubisChain RWA 板块正式开启,上线首批美股代币化资产 SPCXon 与 NVDAon、AAPLon,分别对应 SpaceX 与英伟达、苹果股票,支持 7×24 小时连续交易、碎股粒度与链上即时清算,后续将按批次扩展至科技、半导体、指数及 ETF 板块,仅面向合格司法管辖区开放。
机构:第三季度 DRAM「超级周期」,营收逼近 2000 亿美元
火星财经消息,根据市场研究机构 Counterpoint Research 最新发布的 2026 年第三季度全球存储市场追踪报告,受 AI 加速器与数据中心强劲需求及价格上涨带动,2026 年第三季度 DRAM 营收同比增长接近 5 倍。该机构表示,当前市场正处于价格驱动的超级周期,而非出货量驱动的周期。本季度 DRAM 位元出货量仅增长约 4%,但市场营收已接近 2000 亿美元,约为去年同期的 5 倍。报告称,AI 已将存储从一种大宗商品转变为稀缺的高价值资源,如今买方竞争的是供应保障,而非在价格上反复博弈。在价格持续上行的情况下,供应商有望在下一季度再创盈利新高。
小摩:DRAM/NAND供需仍紧 基本面有望强至2028年
火星财经消息,摩根大通最新研报指出,主要存储股较2026年高点平均回撤约45%,费城半导体指数较近期高点回撤约29%。该行认为,尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报,但DRAM和NAND供需仍然紧张,长期供货协议不断扩大覆盖范围,行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月,存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。(财联社)
The Information 调查韩国高端 HBM 走私链
ChainCatcher 消息,《The Information》调查韩国高端存储芯片走私链,并采访到一名 20 多岁的深圳经销商。他原本在芯片公司工作,靠积累的人脉转行做芯片黑市生意,入行仅 3 年,如今已一身名牌,每天忙着给买卖双方牵线。美国从 2024 年底开始限制向中国出口先进高带宽存储器 HBM,但规则留下漏洞:HBM 单独出口受到限制,若与处理器封装在一起,就可能改按处理器算力判断是否触及管制红线。一名 40 多岁的走私商控制了一家芯片设计公司,专门设计便宜且性能较差的服务器处理器。这些芯片少有人购买,却被用作采购韩国高端 HBM 的幌子。封装厂把三星、SK 海力士的 HBM 与这些处理器装在同一块基板上,按低性能处理器类别申报出口。货物经香港进入中国内地后,工坊再加热拆下 HBM,廉价处理器则被丢弃,拆卸稍有不慎就可能把存储器弄坏。一叠 HBM3E 在中国黑市的价格,一年前还只有几百美元,如今已涨到约 4000 美元。一颗 AI 芯片通常需要 6 至 8 叠,仅存储器就要花费 2.4 万至 3.2 万美元。部分存储器最终流向华为客户。华为下一代昇腾 960DT 计划于 2027 年第一季度推出,但国内 HBM 供应不足,华为已要求部分客户自行采购存储器。模仿者增多后,上述负责从韩国采购芯片的走私商打算明年卖掉公司控股权,担心路线扩散后引来韩国和美国监管部门严查。
马斯克嘲讽 Sam Altman:家用电脑闲置 DRAM 是浪费
ChainCatcher 消息,Elon Musk 在 X 上以一张表情包嘲讽 OpenAI CEO Sam Altman 关于家用电脑内存闲置的言论。Altman 在 YouTube 频道 Cheeky Pint 的采访中表示,从全球资源分配的角度看,让世界有限的 DRAM 供应闲置在个人电脑中、且仅使用 5% 的时间“相当糟糕”,在供应受限的环境下应当在云端实现最大化利用,但许多人的直觉与此相反。Musk 于周日发布了一张《无耻混蛋》中由 Christoph Waltz 饰演的纳粹军官 Hans Landa 的表情包,配文“你们正在把 DRAM 扣留、不交给云端,对吧?”,并写道“人们也理应拥有自己的 RAM!”该交锋是两位 OpenAI 联合创始人长期矛盾的延续。两人与其他人于 2015 年共同创立 OpenAI,Musk 于 2018 年离开。Musk 于 2024 年起诉 OpenAI 与 Altman,指控其背离开放组织的非营利使命;今年 5 月,加州联邦陪审团驳回了这项 1500 亿美元的诉讼,认定 OpenAI、Altman 及总裁 Greg Brockman 在所有指控上均不承担责任。Altman 在采访中还将内存短缺部分归因于存储厂商的谨慎,称过去 DRAM 生产商“投资 200 亿美元资本开支却只赚 190 亿”,经历此前产能过剩周期的企业扩产迟缓。
长鑫科技:基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
火星财经消息,长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露,在4F²垂直沟道DRAM(动态随机存取存储器)架构取得关键突破的基础之上,第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展,此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践,工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期,在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。 (澎湃新闻)