The Information 调查韩国高端 HBM 走私链
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三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
The Information：离岸银行EQIBank 或将清算，Tether 少量资金被困
ChainCatcher 消息，据 The Information 报道，Tether 有部分资金滞留在其一家离岸银行合作伙伴处，该银行在美国扣押资产后面临清算风险。Tether 表示，其在该银行 EQIBank 持有的资产规模有限，占比不足其总资产的 0.034%。
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。
三星 4 纳米过半产能用于 HBM4 基底芯片
ChainCatcher 消息，三星电子晶圆代工事业部在 4 纳米工艺中，分配给第六代高带宽存储器 HBM4 用基底芯片量产的比重最近突破 50%。业界称，该事业部今年下半年将超过一半的 4 纳米晶圆投入 HBM4 基底芯片制造，以配合向英伟达、博通、AMD 等扩大供应。三星于今年 2 月率先启动 HBM4 量产出货，并计划自第三季度起扩大供应量，自年中起显著增加相关晶圆投入。该芯片基于三星晶圆代工 4 纳米（SF4）工艺。截至上月，其全部 4 纳米产能中超过 50% 已分配给 HBM4 基底芯片。知情人士称，三星 4 纳米目前处于满产，其中 HBM4 基底芯片占比约 50% 至 60%，下半年将维持高占比。三星在平泽 2 厂与 3 厂的晶圆代工产线量产 4 至 7 纳米级工艺，其中 4 纳米产能约每月 3 万片，据此估算 HBM4 基底芯片相关晶圆投入约每月 1.5 万片。三星在第二季度业绩电话会上表示，预计第三季度 HBM4 营收环比扩大 3 倍以上，下半年 HBM4 营收将超过公司整体 HBM 营收的 60%。
美光计划年底将 HBM 产能扩至约月产 10 万片
ChainCatcher 消息，据电子新闻 9 月 3 日报道，美光计划将高带宽内存 HBM 产能较去年扩大一倍，今年年底前最多新增月产能 6 万片晶圆。知情人士称，去年美光 HBM 产量约月产 4 万至 5 万片，年底有望达到约月产 10 万片规模，以缩小与三星电子、SK 海力士的差距。美光正增加对多家 HBM 设备商的采购订单，生产基地主要在中国台湾与新加坡晶圆厂，持续导入设备。目前产量以 HBM3E 12 层为主，今年初 HBM4 12 层占比约 20% 至 30%，年底或升至最高 50%。HBM4 12 层将用于英伟达最新 AI 加速器 Vera Rubin，美光自今年二季度起量产该产品。美光 CEO 梅赫罗特拉今年 6 月在 2026 财年三季度业绩会上表示，HBM4 12 层量产爬坡速度约为 HBM3E 12 层的两倍，HBM4 累计出货营收已超 10 亿美元。业界认为三星、SK 海力士各自 HBM 产能约月产 15 万至 20 万片。Counterpoint 数据显示，今年二季度全球 HBM 市占率 SK 海力士 50%、三星 32%、美光 18%。美光还在日本广岛筹备相关投资。
长鑫攻下HBM3E：离全球头部只差一代
动察 Beating AI 快讯，《The Information》援引两名知情人士称，长鑫存储已经开始小批量生产 HBM3E，并计划在 2027 年扩大产量。HBM 是放在 AI 芯片旁边的高速内存，负责快速给芯片输送数据。HBM2 及以上产品也一直是国产 AI 芯片的一块关键短板。 寒武纪和阿里平头哥等国内芯片团队已经在测试长鑫的 HBM，进展顺利的话，最快明年就会用进产品。HBM3E 也是英伟达 H200 和 Blackwell 使用的一代内存。按产品代际看，长鑫目前只比 SK 海力士、三星和美光正在量产的 HBM4 落后一代。 不过，小批量生产离成熟量产还有距离。长鑫 HBM3E 目前良率仍然偏低，速度和可靠性也不及三大厂。SK 海力士早在 2024 年就开始量产 HBM3E，目前三大厂已经进入 HBM4 阶段，并开始送样 HBM4E。 长鑫这次跨过的是「能不能做出来」这一关，下一关是把良率和产量真正拉上去。