SK海力士董事长：2027年将出现最严重“存储荒”，AI智能体用量5年内或增长77倍
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HBM4良率提升至80%，三星计划将第三季度营收提高逾3倍
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，三星已将 HBM4 良率提升至 80%。今年 2 月量产初期，HBM4 良率仍低于 60%，六个月内实现明显提升。一名韩国媒体引述的行业人士表示，年末良率目标原定为 80%，但随着下半年产量正式扩大，工艺改进速度超出预期。据报道，随着 HBM4 良率快速达到预期，三星已决定将第三季度 HBM4 营收环比提高逾 3 倍，并制定计划，使 HBM4 在下半年占 HBM 总营收的比例超过 60%。此外，三星还设定了年末提高 HBM 市场份额的目标，计划达到与其 DRAM 市场份额相当的水平，约为 38%。
“不安与期待只是硬币两面”：SK海力士股价回调但仍被机构看好，市场聚焦HBM4技术护城河
Odaily星球日报讯 SK 海力士股价近期出现回调，8 月 3 日股价下跌 8.79%，虽然随后 8 月 4 日和 5 日分别小幅反弹 0.64%和 5.77%，但在 8 月 6 日股价又大跌 10.37%，收于 149.5 万韩元；8 月 7 日进一步下跌 4.88%，收报 142.2 万韩元。 在市场波动加剧背景下，SK 集团发布广告引用创始人崔钟贤（최종건）的名言：“绝望与希望是一枚硬币的两面，可以像翻转手掌一样将绝望转变为希望”并将其改写为：“AI 时代的不安与期待也是硬币的两面，可以将不安转变为期待”，借此传递对 AI 产业长期发展的信心。 证券机构认为，短期股价波动并未改变 SK 海力士的基本面，市场应关注其 HBM4 技术领先优势以及长期供货协议（LTA）带来的业绩稳定性，其中： 1、现代汽车证券预计 SK 海力士第三季度 DRAM 和 NAND 比特增长率分别达到 9.7%和 1.5%，随着 HBM4 销售贡献扩大，即使长期供货协议占比提升，DRAM 平均售价（ASP）仍有望环比上涨 19.9%。OpenAI、Anthropic 等企业正在推进自建超大型 AI 数据中心，并计划通过 IPO 融资投入相关建设，即使部分大型科技公司未来调整资本开支（Capex），也可能被其他 AI 基础设施需求抵消。此外针对中国长鑫存储（CXMT）带来的竞争担忧，考虑到美国持续强化半导体设备出口限制，以及美光扩大美国本土投资，苹果等主要企业采用中国存储芯片的可能性较低。 2、SK 证券同样看好 SK 海力士竞争优势，认为凭借 HBM 领域领先地位、与北美主要 GPU 企业的合作关系，以及 AI 驱动的 LTA 需求，SK 海力士在市场中的位置依然稳固。目前 HBM 供需满足率不足 70%，长期供货协议的核心价值在于通过客户与供应商之间的“相互绑定结构”，确保利润持续性和业绩稳定性。随着 ADR 上市等价值重估举措推进，以及出售与铠侠（Kioxia）相关 SPC 资产带来的分红收益，公司达到净现金 100 万亿韩元目标的时间可能提前。未来股东回报政策逐步明确，将有助于市场重新认识 LTA 模式价值，并推动 SK 海力士估值进一步提升。（Daum）
韩媒：三星、SK海力士加码HBM研发与投资
Odaily星球日报讯 韩国三星电子和 SK 海力士正加速布局 HBM 及下一代存储技术，以维持领先优势。三星电子表示，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元（约 116 亿美元），并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。 SK 海力士则正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等下一代技术，预计今年资本支出规模达到40万亿韩元（约 326 亿美元）。（newsis）
三星电子新设BEOL工艺组织，聚焦HBM4等高附加值内存
Odaily星球日报讯 三星电子半导体部门近期在内存业务部蚀刻技术团队内组建 BEOL 工艺组织，计划本月完成组建并在平泽园区启动运营，初期人员约 30 人。 该组织多数成员为高年资工程师，讨论方向包括用于 HBM 等高附加值内存的 BEOL 工艺技术、人员配置及供应链运营强化。 BEOL 是半导体前工序后段的金属布线形成工艺，用于在晶圆器件形成后连接各器件并传输信号。三星电子今年上半年开始出货 HBM4，其 I/O 数量为 2048 个，较上一代增加一倍。 在有限芯片面积内增加 I/O 数量需要更密集布线和更小线宽，对金属布线形成及蚀刻精度提出更高要求。该组织仍处于组建初期，具体运营方向和目标将后续明确。
韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入
Odaily星球日报讯 据韩国媒体报道，三星电子与 SK 海力士正重新评估下一代高带宽存储器（HBM）采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的时间。由于 HBM 对厚度缩减及散热性能提升的需求有所下降，市场预计该技术导入时间可能较此前预期进一步推迟。同时，两家公司正分别开发 HPB 和 iHBM 等新型散热方案，并计划应用于 HBM5 产品。不过，业内认为，随着未来 HBM I/O 数量持续提升，混合键合仍将是中长期的重要技术路线。
SemiAnalysis：SPHBM4将AI芯片复杂工程负担转移至基板层
Odaily星球日报讯 SemiAnalysis 在 X 平台发文表示，SPHBM4 将 AI 芯片的复杂工程负担转移。芯片制造商将不再购买价格极高的专有“硅中介层+ABF 基板”组合，而是完全转向购买超大尺寸、高层数 ABF 基板，或在性能需求被直接推向基板层的情况下提前采用玻璃基板。基板热潮刚刚开始。