Citrini：AMD和苹果同时推进AI产品中闪存部分替代DRAM方案
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SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
Citrini分析师质疑闪迪HBF性能对比：演示参数或低估HBM实际能力
火星财经消息，8 月 14 日，Citrini 分析师 Zephyr 发文质疑闪迪在投资者日展示的 HBF 与 HBM 性能对比存在参数设置偏差，认为公司在演示中「刻意低估了 HBM 的性能」。 他指出，闪迪在对比中将 HBM 与 HBF 的总带宽均设为 12.8TB/s，相当于每个堆栈 1.6TB/s；同时采用 bfloat16 运行 Qwen3-480B-A35B 模型。Zephyr 称，当前模型推理更多使用 FP4 或 FP8，因此该模型在不同量化方式下所需容量约为 240GB 至 480GB。 Zephyr 还表示，闪迪将 HBM 单 GPU 容量固定为 192GB，但 16 层 HBM4E 在 8 个堆栈配置下可达到 512GB 容量，并提供约 32TB/s 带宽，约为闪迪演示参数的 3 倍。 其认为，上述参数选择使闪迪展示的「HBF 仅需 1 至 4 个 GPU，而 HBM 需要 8 个 GPU」的结果不能充分代表更高规格 HBM 配置下的实际性能。
Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
火星财经消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。