杰弗瑞上调AMAT目标价,称AI推高DRAM和先进封装设备需求
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Binance将通过bStocks发放Microsoft(MSFT)和Applied Materials(AMAT)分红
BlockBeats 消息,8 月 17 日,据官方公告,Binance 将为持有 AMATB 或 MSFTB 余额的用户通过 bStocks 发放 Applied Materials(AMAT)和 Microsoft(MSFT)分红,在扣除适用的预扣税、手续费、成本及其他费用后,现金股息净额将再投资为相同标的证券的额外单位或零碎份额。符合条件的用户将以 AMATB 或 MSFTB bStocks 股票代币的形式收到分红。 在链上持有 AMATB 或 MSFTB 余额的用户,将会通过倍数调整的方式收到 bStocks 分红。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
机构:HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定
火星财经消息,DigiTimes报告显示,受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响,下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性:其生产周期长达四到六个月,且初始良率显著偏低;另一方面,HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍,严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是,当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。据DigiTimes预测,到2027年,全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)
三星HBM4E良率已超70%,下一代DRAM工艺D1d目标11月获生产准备批准
火星财经消息,7 月 1 日,三星电子在全球首个 HBM4(第六代)量产后,正在 HBM4E(第七代)和下一代 DRAM 开发方面取得进展。三星电子 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在 6 月 30 日举行的内部经营现状说明会上表示,HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。业内通常认为,良率超过 80% 即进入工艺稳定的「成熟良率」阶段;考虑到 HBM4E 仍处于可靠性测试阶段,70% 以上被视为开发正进入稳定区间的指标。 三星电子今年 2 月已率先量产出货 HBM4,并于 5 月 29 日公开 HBM4E 12 层产品详细技术规格,向主要客户出货样品。HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin,HBM4E 则预计用于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。 三星下一代 DRAM 工艺开发也进展顺利。Song Jae-hyuk 认为,D1d 工艺技术竞争力相较竞争对手具备优势,并正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5(第八代)起应用的核心 DRAM 工艺,若按计划推进,将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品竞争力产生积极影响。(Fnnews)
伯恩斯坦:常规DRAM价格在2027年可能继续上涨,HBM面临盈利追赶压力
火星财经消息,6 月 22 日,伯恩斯坦分析师在一份报告中表示,常规 DRAM 价格在经历从 2025 年三季度到 2026 年二季度约 4.5 倍的上涨后,可能在 2027 年继续上行。因此,当前常规 DRAM 在单位比特平均售价上已与高带宽内存(HBM)相当,甚至可能更高。伯恩斯坦指出,考虑到更高的比特密度与良率,今年常规 DRAM 每晶圆产能的收入可能是 HBM 的两倍,并享有明显更高的利润率。 该机构估算,HBM 价格需要再提升约三倍,才能在单位晶圆产能收入上追赶常规 DRAM。不过,存储芯片厂商可能不会如此激进地提高 HBM 价格,因为他们明白,HBM 成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展,并最终反过来抑制存储需求。