ASML上调全年营收指引确认行业景气
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多家华尔街投行维持对ASML看多评价，分析师认为后续订单和收入预期仍有上修空间
BlockBeats 消息，7 月 16 日，ASML 在最新财报中公布强劲业绩并上调指引后，多家华尔街机构维持乐观看法，认为该光刻机巨头仍是 AI 半导体扩产周期中最关键的设备供应商之一。 Bernstein 维持 ASML Outperform 评级，目标价为 2,623 美元。该行认为，ASML 订单动能和客户需求仍然强劲，尤其是先进制程、AI 加速器、HBM 相关逻辑芯片以及高端晶圆厂扩产，继续支撑 EUV 和先进光刻设备需求。 杰弗瑞、瑞银、花旗和 Cantor 等机构也对 ASML 指引作出正面解读。部分分析师认为，公司当前产能规划仍偏保守，如果台积电、三星、英特尔以及存储厂商继续为 2027 年至 2028 年 AI 需求提前锁定产能，ASML 后续订单和收入预期仍有上修空间。市场关注点已经从「AI 需求是否存在」转向「产能能否跟上」。
三星电子计划在1nm级制程节点实现High NA EUV商业应用
火星财经消息,三星电子计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV设备的商业化应用。三星电子晶圆代工工艺开发团队朴昌民表示，对于2nm的SF2和1.4nm的SF1.4两个近期节点来说，High NA EUV光刻图案化技术仍不算成熟。而更高的图案化分辨率将在1nm级成为刚需，因此三星晶圆代工正以此为目标与合作伙伴联合研发。考虑到三星晶圆代工此前将2029年设定为SF1.4的量产时点并计划在2030年推出改进型SF1.4+，其1nm节点最快也要到2030年才会推出。 （ZDNET Korea）
三星计划 2030 年 1 纳米工艺导入 High-NA EUV 技术
ChainCatcher 消息，三星电子半导体研究所 Foundry 工艺开发团队朴昌民在“2026 下一代光刻+图案化学术大会”上表示，公司计划从 1 纳米（A10）工艺开始应用 High-NA EUV 技术，目标在 2030 年左右实现量产。三星目前在 2 纳米及以下工艺中仍采用现有 0.33 NA EUV 的多重图案化方案，计划 2029 年量产 1.4 纳米，后续再推进至 1 纳米。 High-NA EUV 将透镜数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，分辨率更高，可将原先需多重图案化的超微细工艺简化为单次图案化，有利于降低制造成本、提升生产效率和设计灵活性。但该技术难度高、设备昂贵，且需要配套材料技术同步升级。朴昌民预计 1.4 纳米和 1 纳米工艺仍以 0.33 NA EUV 多重图案化为主流，此后 High-NA 图案化将成为新一代工艺的核心技术。
三星电子公布新一代光刻技术路线图，将在1nm节点大规模生产中部署高NA EUV
BlockBeats 消息，8 月 11 日，三星电子技术专家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 会议上宣布，三星电子计划在其 1 纳米工艺中引入光刻技术的一项重大创新，该工艺最早可能在 2030 年进入量产。该公司打算在 1nm 节点大规模生产中部署高 NA EUV，这是一种下一代极紫外光刻技术，目前正专注于开发商业化所需的技术。 此外，三星电子还在加强高 NA EUV 的开发，这是 EUV 技术的下一代。该公司将 1nm（或 A10）工艺作为其在量产中全面部署的目标。「A」指的是埃（angstrom），1 埃等于 0.1nm。 根据这一路线图，三星电子预计将于 2030 年左右开始在量产中使用高 NA EUV。该公司已实现 2nm 工艺的商业化，并计划于 2029 年开始量产其 1.4nm SF1.4 工艺。据报道，它正准备在 2030 年开始量产 SF1.4+（1.4nm 工艺的增强版）以及其 1nm 工艺。
Gate 已派发阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的现金股息
火星财经消息，Gate 已完成阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的本期现金股息派发。平台已按比例向快照时间内持有相关股票的用户完成 USDT 派息结算，全程自动处理，用户无需任何操作。本次派息覆盖企业派息日为 2026-08-03 至 2026-08-07 的相关美股标的，涵盖科技与半导体、金融服务、能源、消费品、医疗健康、工业制造、地产 REITs、公用事业、材料制造、传媒娱乐、电信及策略 ETF 等多个行业板块。代表性标的包括阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 、好市多 (COST) 、通用动力 (GD) 等。
消息称SK海力士推进EUV工艺 开始引入新材料PSM
火星财经消息,SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。 （ZDNET Korea）