三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺 速度较HBM4E提升50%以上
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美股盘前要闻一览：英伟达等数十家企业成立“开放AI安全联盟”；三星确认下一代HBM5将采用2纳米GAA工艺；“大空头”加码做空美光和英伟达
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨1.11%，标普500指数期货涨0.83%，纳斯达克100指数期货涨1.30%。2、国际油价集体大幅下跌。WTI原油期货价格跌5.46%，报84.436美元/桶；布伦特原油期货价格跌4.94%，报87.150美元/桶。3、国际金银现货集体上行。现货黄金价格涨0.78%，报4084.83美元/盎司；现货白银价格涨1.10%，报58.82美元/盎司。4、欧洲三大股指全线上扬。英国富时100指数涨0.40%，法国CAC40指数涨0.77%，德国DAX30指数涨1.58%。5、英伟达宣布共同发起成立“开放AI安全联盟”，合作伙伴包括Palantir、IBM、SpaceX和Hugging Face等数十家企业，旨在加强开源AI安全。6、英伟达据悉正与OpenAI洽谈提供约2500亿美元融资担保，以支持后者租用软银旗下SB Energy在美国俄亥俄州开发的10吉瓦数据中心项目。7、三星电子确认下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺，运行速度较HBM4E提升50%以上。8、D-Wave与美国电信运营商AT&T签署协议，计划扩大其量子计算技术在网络运营领域的使用。D-Wave盘前涨超8%。9、Anthropic正考虑要求全体员工，按照美国《证券交易法》10b5-1预设交易计划出售所持股票，以降低IPO后的内幕交易风险。10、“大空头”投资人迈克尔·伯里发文称，加码做空美光科技、英伟达，同时维持对特斯拉、Palantir的空头仓位不变。11、美国中期选举进入百日倒计时，高盛警告投资者注意力将转向选举政治不确定性，美股或从8月起受冲击。(财联社)
KB 证券：三星 HBM4 销量环比增超三倍，代工业务三季度有望扭亏
火星财经消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。
SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
SK海力士正在为其下一代HBM方案引入先进封装技术
火星财经消息,SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。(财联社)
SK海力士：正与主要客户协商2027年HBM供应及定价，目标维持稳健盈利
BlockBeats 消息，7 月 29 日，SK 海力士在 2026 年第二季度财报电话会上表示，公司正与主要客户就 2027 年 HBM 供应规模及价格展开谈判，协商进展顺利，受强劲客户需求支撑，但暂不披露具体客户合同及定价细节。 SK 海力士表示，HBM 定价并非单纯由传统 DRAM 价格决定，还将综合考虑晶圆、先进制程、TSV、封装、产能投入、技术复杂度、机会成本及产品价值等因素，与客户逐一协商定价。 公司将依托技术、成本、量产能力及客户合作优势，维持 HBM 业务稳健盈利，并通过产品迭代和长期合作推动 AI 生态持续发展，实现长期可持续增长。