SK海力士正在为其下一代HBM方案引入先进封装技术
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三季度科技圈重要事件一览：科技巨头财报密集发布，存储大会与Hot Chips 2026接力登场
BlockBeats 消息，7 月 30 日，科技巨头财报陆续公布中，继微软、Meta 今日凌晨公布财报后，明日凌晨还将公布苹果和亚马逊财报，而备受关注的英伟达财报要等到 8 月 26 日才能知晓，AI 芯片需求、数据中心收入、毛利率及后续指引，将验证云计算、AI 资本开支、广告和消费电子景气度。 除了财报还有几场重要大会需要关注，下周 8 月 4 日召开的未来内存与存储大会参与公司覆盖三星、SK 海力士、美光、英伟达等，对存储产业链的重要性很高。8 月 23-25 日要举行的 Hot Chips 2026，这是芯片架构和 AI 硬件领域最值得看的技术会议。英伟达 Vera CPU、HBM 架构、先进封装及多家公司新一代处理器将公布，可能影响 CPU、GPU、HBM 和封装产业链预期。
美光警示 AI 存储墙加剧，HBM 约占 Meta Llama 3 训练中断 17%
火星财经消息，据 TrendForce 报道，在 Hot Chips 2026 上，美光强调 AI 算力进步快于存储提升，“存储墙”挑战日益突出。美光 Fellow Raghu Sriramaneni 指出，AI 加速器算力约每两年提升三倍，而 HBM 带宽同期增幅不足两倍，差距可能进一步扩大。对 HBM 依赖加深也带来可靠性问题，美光援引 Meta Llama 3 数据称，HBM 故障约占非预期训练中断的 17%。模糊计算与存储边界的新设计或有助于突破瓶颈。HBM 扩展还带来面积与供应压力：最新一代封装将两颗 GPU 与八个 12 层 HBM4 堆栈集成，存储约占半导体面积 90%，超过 GPU 所占面积的八倍；以 HBM 实现同等容量约需标准 DDR5 DRAM 三倍晶圆。热管理亦成关键约束，液冷与超薄芯片等方案正被探索。美光正推进互连、封装与冷却创新，包括面向存储优化的 SerDes 与 die-to-die PHY、更大尺寸 SiP 与玻璃基板先进封装，以及液冷、混合键合等，并开发 fusion bonding 以降低热阻并提升数据吞吐。
三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上
火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）
韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入
Odaily星球日报讯 据韩国媒体报道，三星电子与 SK 海力士正重新评估下一代高带宽存储器（HBM）采用混合键合（Hybrid Bonding）技术的时间。由于 HBM 对厚度缩减及散热性能提升的需求有所下降，市场预计该技术导入时间可能较此前预期进一步推迟。同时，两家公司正分别开发 HPB 和 iHBM 等新型散热方案，并计划应用于 HBM5 产品。不过，业内认为，随着未来 HBM I/O 数量持续提升，混合键合仍将是中长期的重要技术路线。
三星电机、LG Innotek 推进英特尔 EMIB-T 基板供应
火星财经消息，据 ZDNet Korea 9 日报道，三星电机与 LG Innotek 正推进进入英特尔 EMIB-T 用封装基板供应链，相关产品开发与测试已在进行。EMIB 以小型硅桥连接芯片，英特尔此前主要用于自有芯片；改进版 EMIB-T 正扩大对外销售。谷歌计划于明年下半年推出的下一代 AI 加速器 TPU 将首次应用 EMIB-T。EMIB-T 在硅桥中插入用于电力传输的硅通孔。知情人士称，三星电机多年来已开发 EMIB 用基板样品，目前按 2.1D 封装基板概念推进 EMIB-T 供应。LG Innotek 近期向 SK 海力士送交 EMIB-T 用封装基板进行样品测试，双方正将 HBM 安装于基板上以评估产品特性。目前 EMIB-T 用封装基板由日本 Ibiden、新光电工、台湾欣兴电子及奥地利 AT&S 供应。Ibiden 决定利用闲置工厂开工建设英特尔 EMIB-T 专用基板量产线，投资规模约 2 万亿韩元，并据悉已获得谷歌、亚马逊、英特尔等预付款。
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。