KB 证券：三星 HBM4 销量环比增超三倍，代工业务三季度有望扭亏
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三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上
火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）
美股盘前要闻一览：英伟达等数十家企业成立“开放AI安全联盟”；三星确认下一代HBM5将采用2纳米GAA工艺；“大空头”加码做空美光和英伟达
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨1.11%，标普500指数期货涨0.83%，纳斯达克100指数期货涨1.30%。2、国际油价集体大幅下跌。WTI原油期货价格跌5.46%，报84.436美元/桶；布伦特原油期货价格跌4.94%，报87.150美元/桶。3、国际金银现货集体上行。现货黄金价格涨0.78%，报4084.83美元/盎司；现货白银价格涨1.10%，报58.82美元/盎司。4、欧洲三大股指全线上扬。英国富时100指数涨0.40%，法国CAC40指数涨0.77%，德国DAX30指数涨1.58%。5、英伟达宣布共同发起成立“开放AI安全联盟”，合作伙伴包括Palantir、IBM、SpaceX和Hugging Face等数十家企业，旨在加强开源AI安全。6、英伟达据悉正与OpenAI洽谈提供约2500亿美元融资担保，以支持后者租用软银旗下SB Energy在美国俄亥俄州开发的10吉瓦数据中心项目。7、三星电子确认下一代HBM5内存将采用2纳米GAA工艺，运行速度较HBM4E提升50%以上。8、D-Wave与美国电信运营商AT&T签署协议，计划扩大其量子计算技术在网络运营领域的使用。D-Wave盘前涨超8%。9、Anthropic正考虑要求全体员工，按照美国《证券交易法》10b5-1预设交易计划出售所持股票，以降低IPO后的内幕交易风险。10、“大空头”投资人迈克尔·伯里发文称，加码做空美光科技、英伟达，同时维持对特斯拉、Palantir的空头仓位不变。11、美国中期选举进入百日倒计时，高盛警告投资者注意力将转向选举政治不确定性，美股或从8月起受冲击。(财联社)
三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺 速度较HBM4E提升50%以上
火星财经消息,三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示，预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”。具子铉称，三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。(财联社)
机构：三星HBM出货扩张料将抵消2027年通用存储增长放缓
BlockBeats 消息，9 月 7 日，未来资产证券分析师 Kim Young-gun 表示，三星电子面向 AI 应用的 HBM 出货量的扩张，预计将抵消明年通用存储芯片增长放缓的影响。 预计三星电子 2027 年 HBM 出货容量和平均售价将分别飙升 57% 和 49%，有望超过通用存储芯片预计的 16% 和 20% 增速。未来资产预计三星的盈利将受到韩元兑美元走强的拖累，但总体仍将保持稳健。 该机构将三星 2026 年营业利润预测下调 5.7% 至 370.057 万亿韩元，2027 年下调 4.2% 至 535.682 万亿韩元。
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI芯片对高性能和低功耗的需求。面向HBM5之后的zHBM，三星计划进一步提升性能。三星提出的目标是，zHBM相比HBM4E性能提升8倍、每瓦性能提升3倍，同时将热阻降低75%至90%。（新浪财经）
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。