三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
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三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上
火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）
KB 证券：三星 HBM4 销量环比增超三倍，代工业务三季度有望扭亏
火星财经消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。
本周用户最关心股票Top 5：链上币股带动BNC大涨，HBM存储回暖、耐克走出修复
BlockBeats 消息，9 月 11 日，劳动节后的短交易周，美股在通胀与利率担忧下明显分化。截至美东 9 月 10 日，标普 500 和纳指本周均回落约 1.6%，油价和长端美债收益率上行压制风险偏好；9 月 11 日 CPI 将成为 9 月 15 日至 16 日 FOMC 会议前的关键变量。结构上，大模型、人形机器人和 HBM 存储仍获资金关注，消费股则开始交易渠道修复与新品催化。 BNC（周内涨约 10.25%）：围绕新业务推进与数字资产财库策略的消息持续发酵，资金反复博弈其 BNB 持仓、融资和执行进度；股价冲高后回稳，短线波动明显放大。BNC 此前披露持有逾 51 万枚 BNB，并计划继续配置 BNB 及择机回购。 MiniMax（周内涨约 7.00%）：市场继续交易大模型产品与企业服务商业化。MiniMax 上半年收入同比增长 283%，其中开放平台及企业服务收入同比增长 703%；本周走势偏强，但资金仍会关注收入扩张能否覆盖推理和算力投入。 宇树科技（周内涨约 6.32%）：人形机器人产业链情绪回暖，宇树上市后的交易热度延续，相关标的走势偏强；不过前期高波动尚未完全消化，量产订单、商业化落地与估值匹配度仍是核心分歧。 美光（周内涨约 5.62%）：AI 服务器和 HBM 存储需求预期支撑资金回流，市场提前博弈 9 月底财报。美光已推动 HBM4 进入量产出货，并给出约 500 亿美元的第四财季营收指引，存储景气预期仍在。 NIKE（周内涨约 2.21%）：新品与渠道调整带动修复交易，股价先抑后扬。耐克正重整数字渠道、加码批发分销和品牌营销；北美改善相对领先，但大中华区与 Converse 调整仍需时间，消费复苏交易仍待业绩验证。
消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM
火星财经消息,据业界消息，英伟达正考虑将下一代Rubin Ultra人工智能加速器的高带宽内存（HBM）方案，从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下，英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。 （台湾电子时报）
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。