中信证券：存储产业保持高景气度后续关注LTA进展与股东回报
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铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
SK海力士CEO：未来三年DRAM以及HBM产能产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
火星财经消息,SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露：“已经敲定的LTA订单，叠加当前和客户正在磋商的需求，未来三年直至2029年，我们的DRAM以及HBM产能实际上已经近乎售罄。磋商当中的订单，均基于客户明确的采购规划，落地概率很高。综合来看，中长期销售的能见度已经大幅提升。”(财联社)
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
长鑫存储拟进军 NAND 闪存市场
火星财经消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。