铠侠拟投资超63亿美元新建日本存储生产设施
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铠侠预计NAND供需紧张将持续至2027年
Odaily星球日报讯 日本存储芯片制造商铠侠控股（Kioxia Holdings）公布，预计 2026 年 7-9 月季度净利润将达到 1.27 万亿日元，同比增长约 31 倍。公司表示，受 AI 数据中心投资增长推动，NAND 闪存需求持续提升。 铠侠同时宣布最高 8000 亿日元（约合 XX 亿美元）股票回购计划，拟回购最多 3000 万股，占已发行股份约 5.5%；此外，公司计划于 10 月 1 日实施股票三分割。 公司数据显示，4-6 月季度数据中心相关销售额同比增长超过 5 倍至 1.1747 万亿日元。由于 AI 服务器需求推动存储供应紧张，铠侠 NAND 产品售价上一季度上涨约 70%，公司预计供需紧张状态或持续至 2027 年。（日本经济新闻）
高盛上调铠侠目标价，AI存储需求将NAND周期推向更高峰值
BlockBeats 消息，7 月 1 日，在 AI 数据中心建设持续推高存储需求之际，高盛把日本 NAND 闪存制造商 Kioxia Holdings 的 12 个月目标价上调至 116,000 日元，并维持买入评级。该行认为，NAND 市场的供需紧张程度超过此前预期，价格上涨周期可能延续至 2027 年中，甚至在部分环节持续到 2028 年。 高盛在 6 月 30 日的报告中称，已将铠侠 FY3/27 至 FY3/29 的营业利润预测分别上调 9%、19% 和 29%，EPS 预测也分别上调 10%、19% 和 29%。该行预计，按日历年计算，NAND 平均售价将在 2026 年大幅上涨，并在 2027 年继续增长 38%，高于此前 27% 的预期。报告称，日本渠道调研显示，主要存储厂商仍优先把资本开支投向 DRAM，而不是大规模增加 NAND 新产能；在 AI 需求扩张背景下，新的 NAND 供给增量可能要到 2028 年才明显释放。 这使铠侠重新进入投资者视野。过去几个周期中，NAND 市场一直被视为更容易过剩、更周期化的存储板块，因为参与者数量多于 DRAM 和 HDD 行业。但高盛认为，这一轮上行周期的利润峰值可能比市场此前假设更高，并且可以维持更久。背后原因包括企业级 SSD 需求上升、HDD 市场供应紧张带来的替代需求，以及美国出口管制可能影响部分韩国厂商在中国工厂的设备供应。 铠侠管理层近期也释放了更重视价格和利润率的信号。高盛称，公司并不急于通过长期协议锁定出货，而是更强调价格纪律和毛利率水平。由于部分一季度比特出货的价格谈判在公司发布指引时尚未完成，高盛预计，铠侠 7 月 31 日公布的 FY3/27 一季度营业利润可能达到 1.417 万亿日元，高于公司指引的 1.298 万亿日元和彭博一致预期的 1.36 万亿日元。 在投资逻辑上，高盛看重两点。第一，铠侠是全球第三大 NAND 闪存厂商，具备相对较强的成本竞争力。第二，公司正在逐步发展面向数据中心的产品，而数据中心预计将成为 NAND 市场中增长更快的部分。随着 AI 服务器和企业级 SSD 对高性能存储需求增加，铠侠有机会在价格上涨周期中获得更高利润率。 不过，高盛也提醒，NAND 行业的周期性并没有消失。风险包括 AI 投资放缓、中国 NAND 厂商崛起、成本上升或产能利用率波动导致利润率下滑、日元大幅升值，以及非 AI 应用的
苹果与铠侠签署NAND长期供应协议，或不设价格上限
BlockBeats 消息，9 月 8 日，据韩国《经济论坛报》报道，苹果 (AAPL.O) 与日本铠侠（Kioxia）签署了一项 NAND 闪存的长期供应协议（LTA），报告对内存市场的推测表明，这份合同的期限为三到五年，并且可能没有价格上限。这意味着，在内存价格谈判中拥有巨大议价能力的苹果公司，正将确保 NAND 闪存的稳定供应量置于压缩成本之上。
铠侠加速 AI 用 NAND 布局，量产 PCIe 6.0 及 UFS 5.0 产品追赶韩厂
火星财经消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存，332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息，8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，搭载最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，其存储密度超过 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。