三星电机调涨 Q4 OEM 报价，MLCC 产业开启上升周期
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机构：AI高端MLCC激励日韩大厂订单出货比创新高 2026年下半年缺货风险提升
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新MLCC产业研究，在AI Server加速换代、云端服务供应商（CSP）自研ASIC芯片持续放量的双重驱动下，村田、三星电机、太阳诱电等三大龙头厂商2026年六月下旬BB Ratio（订单出货比）分别达1.30、1.31、1.25创新高，整体MLCC市场BB Ratio也同步升至1.04。观察2026年下半年MLCC市况，随着英伟达、Google、AMD等新款AI芯片平台于第三季陆续进入量产，产能持续由AI订单占用，再加上超前备货等双重需求，下半年交期延长、高端MLCC价格走扬概率上升，预计第四季将是观察高端MLCC市场是否正式转向缺货的关键期。(财联社)
TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨
火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。
TrendForce内存将过剩观点遭反驳：均价增长放缓是正常信号，高价行情将持续至2027年
BlockBeats 消息，8 月 12 日，FundaAI 发布内存市场分析，明确反驳 TrendForce 内存均价增长近期走平、未来将供过于求的观点。FundaAI 认为这是一次结构性正常化过程，由两大因素驱动： 一是消费电子端的价格敏感性，智能手机等终端设备对内存进一步涨价承受能力极为有限，而 PC OEM 由于更高的基准均价和教育及商用领域需求刚性对价格上涨的容忍度更强； 二是长期供货协议占比持续提升，云服务商积极签署 LTA，锁定价格通常低于短期合同价，随 LTA 占比提高整体均价增速自然放缓，但内存厂商同时获得预付款和违约罚则机制的保护，收入稳定性反而增强。 FundaAI 将当前均价增速放缓解读为内存市场的健康发展，而非 2027 至 2028 年供过于求的前兆。预计在 LTA 占比进一步提高和产品组合持续向数据中心倾斜的支撑下，内存价格将在 2027 年前维持高位运行，而非见顶后崩溃。
Citrini观点：AI需求驱动韩日MLCC出货创五年新高，产能向AI转移致消费级库存告急
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 引用 TrendForce 最新行业调查指出，韩日三大头部 MLCC 厂商 6 月出货量创五年单月新高，村田达 1400 亿颗、三星电机 980 亿颗、太阳诱电 400 亿颗，增长主要受 AI 强劲需求拉动，势头已延续至 7 月。云服务商自研 ASIC（如 Google TPU、AWS Trainium）的采购动能持续旺盛，拉动高容值、低电压、小尺寸 MLCC 需求。然而 AI 级产能正在抽走消费应用的供应：韩日厂商正快速将消费级 X5R 产能转向 AI 用的更高规格 X6S/X7R 产品，导致中高容值消费级 MLCC（1µF 至 22µF）产能承压，关键产品库存普遍降至 30 天或以下。 Jukan 指出，供应紧张引发连锁反应，分销商紧急订单激增，订单外溢效应惠及台系与中国大陆供应商，渠道价格大幅攀升：提前囤货的分销商平均提价 20% 至 25%，现货市场价格涨至原先的 2 至 3 倍。市场呈现「终端需求疲软但渠道价格坚挺」的结构性分化：一方面消费电子受美伊地缘紧张重燃通胀担忧、苹果近期上调 MacBook 和 iPad 价格等因素拖累持续低迷；另一方面 AI 瓶颈正从 GPU 和内存扩散至板上最小元器件，产能重新分配和渠道稀缺成为当前价格强势的主要驱动力。
美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
村田停产部分 MLCC，国巨华新科等有望获转单
火星财经消息，全球被动元件龙头日商村田发出通知，将陆续停产多款積層陶瓷电容 MLCC 产品，提醒客户把握最后下单机会。法人预期，村田部分料号停产之后，客户将启动替代供应商机制，国巨、华新科、禾伸堂、信昌电等台厂有望承接转单。村田表示，此次调整涵盖较旧产品与料号，将停止部分泛用品及原列入更新计划的品项，推进产品汰旧换新。通知涵盖 GRM、GRJ、GRT、GXM、GXT、GCM、GCJ、GCG 及 ZRA 等九个系列中的部分产品，用途横跨消费性电子、工业设备与车用市场。客户须于 2027 年 12 月 31 日前完成替代转换，最后下单日为 2028 年 3 月 31 日，最后出货日为 2029 年 3 月 31 日。