HBM格局生变：三星目标价上调12.5%，SK海力士遭砍27%
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本周用户最关心股票Top 5：链上币股带动BNC大涨，HBM存储回暖、耐克走出修复
BlockBeats 消息，9 月 11 日，劳动节后的短交易周，美股在通胀与利率担忧下明显分化。截至美东 9 月 10 日，标普 500 和纳指本周均回落约 1.6%，油价和长端美债收益率上行压制风险偏好；9 月 11 日 CPI 将成为 9 月 15 日至 16 日 FOMC 会议前的关键变量。结构上，大模型、人形机器人和 HBM 存储仍获资金关注，消费股则开始交易渠道修复与新品催化。 BNC（周内涨约 10.25%）：围绕新业务推进与数字资产财库策略的消息持续发酵，资金反复博弈其 BNB 持仓、融资和执行进度；股价冲高后回稳，短线波动明显放大。BNC 此前披露持有逾 51 万枚 BNB，并计划继续配置 BNB 及择机回购。 MiniMax（周内涨约 7.00%）：市场继续交易大模型产品与企业服务商业化。MiniMax 上半年收入同比增长 283%，其中开放平台及企业服务收入同比增长 703%；本周走势偏强，但资金仍会关注收入扩张能否覆盖推理和算力投入。 宇树科技（周内涨约 6.32%）：人形机器人产业链情绪回暖，宇树上市后的交易热度延续，相关标的走势偏强；不过前期高波动尚未完全消化，量产订单、商业化落地与估值匹配度仍是核心分歧。 美光（周内涨约 5.62%）：AI 服务器和 HBM 存储需求预期支撑资金回流，市场提前博弈 9 月底财报。美光已推动 HBM4 进入量产出货，并给出约 500 亿美元的第四财季营收指引，存储景气预期仍在。 NIKE（周内涨约 2.21%）：新品与渠道调整带动修复交易，股价先抑后扬。耐克正重整数字渠道、加码批发分销和品牌营销；北美改善相对领先，但大中华区与 Converse 调整仍需时间，消费复苏交易仍待业绩验证。
机构：三星HBM出货扩张料将抵消2027年通用存储增长放缓
BlockBeats 消息，9 月 7 日，未来资产证券分析师 Kim Young-gun 表示，三星电子面向 AI 应用的 HBM 出货量的扩张，预计将抵消明年通用存储芯片增长放缓的影响。 预计三星电子 2027 年 HBM 出货容量和平均售价将分别飙升 57% 和 49%，有望超过通用存储芯片预计的 16% 和 20% 增速。未来资产预计三星的盈利将受到韩元兑美元走强的拖累，但总体仍将保持稳健。 该机构将三星 2026 年营业利润预测下调 5.7% 至 370.057 万亿韩元，2027 年下调 4.2% 至 535.682 万亿韩元。
SK海力士考虑英特尔作为下一代HBM基底芯片的供应商
BlockBeats 消息，8 月 31 日，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。 据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。 根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。 由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。
SK海力士拟深化与日本存储产业合作，并推进美国HBM封装基地建设
BlockBeats 消息，8 月 28 日，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式，并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益，他表示目前「没有任何确定计划」。 东芝本月减持后，为 SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东，持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券；根据此前协议，除非获得铠侠同意，其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。 此外，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产，全面运营后预计将雇用约 1000 人。公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出决定。
三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片
BlockBeats 消息，8 月 14 日，分析师 Jukan 援引韩媒指出，三星电子正考虑将位于器兴的下一代半导体研发园区 NRD-K 2 号线用途从研发改为代工生产线，以扩大 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点面向英伟达等客户的 cHBM 和 HBM5 需求。该线预计 2028 年下半年启用，以 Send Fab 模式运营——从其他量产线接收晶圆，只执行特定工艺环节的辅助代工。NRD-K 是三星投资约 20 万亿韩元建设的最先进复合研发园区，共规划 3 条生产线，其中 1 号线已于 2024 年底完工。 这一调整背后是三星对 AI 基础设施带动 HBM 需求爆发的提前卡位。通过在 custom HBM 和 HBM5 上优先采用 2nm 工艺，三星希望在先进封装基础芯片的性能竞争中保持优势。业内观点认为该线规模较小，适合做 Send Fab 角色，但离启用仍有约两年时间，最终用途可能随市场变化调整，设备采购订单尚未正式发出。此前该线曾考虑用于 DRAM 量产，现 DRAM 产能进一步集中至平泽园区。三星此次产线变更进一步印证了 HBM 基础芯片定制化与先进制程化的发展趋势。
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。