韩媒：三星存储器业务部门将2031年前约70%的产能分配给长约订单
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三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上
火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
消息称三星电子调整定制HBM基础芯片供应链，或推行“双轨”战略
据业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代， 三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略 预计将发生重大变化。 该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取“双轨制程”战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。 从今年开始量产HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。（新浪财经）
SK海力士DRAM份额下滑
BlockBeats 消息，9 月 14 日，受人工智能（AI）热潮的推动，存储芯片市场正处于超级周期，但 SK 海力士的 DRAM 市场份额实际上正在下滑。这并非因为其 DRAM 产品销售不佳，而是由于其产品组合中高带宽内存（HBM）占比过高，以及与三星电子在产量上的差异。 据市场研究机构 TrendForce 14 日发布的数据显示，SK 海力士第二季度 DRAM 营收环比增长 37.9%，达到 385.9 亿美元。然而，其市场份额却从 28.8% 下降 3.9 个百分点至 24.9%。三星电子以 39.4% 的市场份额位居榜首，而美光科技则将与 SK 海力士的差距缩小至 1.6 个百分点，市场份额为 23.3%。（半导体行业观察）
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。