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来源MarsBit

长鑫科技回应“与苹果合作”

火星财经消息,此前市场传言苹果已在测试长鑫科技的芯片。长鑫科技总经理赵纶回应称,公司以开放的态度与全球优质客户探讨合作机会,公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。至于HBM(高带宽内存)领域的进展,赵纶表示,公司将按照既定的技术路线图和商业计划保持产品与制程工艺的持续迭代。此前长鑫科技下游应用偏重消费电子。记者就服务器市场收入占比向长鑫科技提问。赵纶表示,服务器市场需求旺盛,上半年公司持续在该领域拓展业务,在下游需求提升等因素推动下,公司应用于服务器领域的产品贡献增加。关于国产光刻机DUV导入验证情况,长鑫科技称,公司围绕供应链建设采取了一系列措施,重点聚焦国产供应链的开发与验证,带动半导体设备等产业链核心环节协同发展。 (第一财经)
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09-15 07:02

消息称三星电子调整定制HBM基础芯片供应链,或推行“双轨”战略

据业内人士消息称,在定制化高带宽内存时代, 三星电子为其高带宽内存(HBM)提供基础芯片的战略 预计将发生重大变化。 该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产,而是采取“双轨制程”战略,即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。 从今年开始量产HBM4开始,三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比,代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中,从而提升性能和能效。(新浪财经)

09-11 10:05重要

本周用户最关心股票Top 5:链上币股带动BNC大涨,HBM存储回暖、耐克走出修复

BlockBeats 消息,9 月 11 日,劳动节后的短交易周,美股在通胀与利率担忧下明显分化。截至美东 9 月 10 日,标普 500 和纳指本周均回落约 1.6%,油价和长端美债收益率上行压制风险偏好;9 月 11 日 CPI 将成为 9 月 15 日至 16 日 FOMC 会议前的关键变量。结构上,大模型、人形机器人和 HBM 存储仍获资金关注,消费股则开始交易渠道修复与新品催化。 BNC(周内涨约 10.25%):围绕新业务推进与数字资产财库策略的消息持续发酵,资金反复博弈其 BNB 持仓、融资和执行进度;股价冲高后回稳,短线波动明显放大。BNC 此前披露持有逾 51 万枚 BNB,并计划继续配置 BNB 及择机回购。 MiniMax(周内涨约 7.00%):市场继续交易大模型产品与企业服务商业化。MiniMax 上半年收入同比增长 283%,其中开放平台及企业服务收入同比增长 703%;本周走势偏强,但资金仍会关注收入扩张能否覆盖推理和算力投入。 宇树科技(周内涨约 6.32%):人形机器人产业链情绪回暖,宇树上市后的交易热度延续,相关标的走势偏强;不过前期高波动尚未完全消化,量产订单、商业化落地与估值匹配度仍是核心分歧。 美光(周内涨约 5.62%):AI 服务器和 HBM 存储需求预期支撑资金回流,市场提前博弈 9 月底财报。美光已推动 HBM4 进入量产出货,并给出约 500 亿美元的第四财季营收指引,存储景气预期仍在。 NIKE(周内涨约 2.21%):新品与渠道调整带动修复交易,股价先抑后扬。耐克正重整数字渠道、加码批发分销和品牌营销;北美改善相对领先,但大中华区与 Converse 调整仍需时间,消费复苏交易仍待业绩验证。

09-11 00:46

KB 证券:三星 HBM4 销量环比增超三倍,代工业务三季度有望扭亏

火星财经消息,KB 证券 9 月 11 日发布报告指出,三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%,主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍,且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面,4 纳米良率稳定在 80% 以上,2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示,代工业务自第三季度起有望扭亏为盈,2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

09-10 01:21重要

消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM

火星财经消息,据业界消息,英伟达正考虑将下一代Rubin Ultra人工智能加速器的高带宽内存(HBM)方案,从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下,英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。 (台湾电子时报)

09-09 00:23

长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%

ChainCatcher 消息,据朝鲜日报报道,中国最大 DRAM 厂商长鑫存储(CXMT)已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产,初期良率停滞在 25%,约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品,良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%,后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4(17 纳米级)工艺普通 DRAM 无大问题,但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示,三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个,SK 海力士 HBM3 超 8000 个,长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。

09-08 04:08

FT:华为开始统筹国产光刻机,宇量昇DUV年底目标12台

动察 Beating AI 快讯,华为正在更深地介入国产光刻机供应链。英国《金融时报》称,华为不仅投资相关设备和零部件公司,还在协调供应商、晶圆厂和整机厂商,推动国产 DUV(深紫外光刻机)进入实际产线。Bernstein 分析师直接把华为形容为中国 DUV 项目的「项目管理者」。 其中进展最快的是上海宇量昇。公司参与开发了国产先进 DUV,目前设备已经在中芯国际等晶圆厂和华为自己的产线上测试,计划今年底生产 12 台。现阶段主要先做较简单芯片,最终目标是用于先进 AI 芯片制造。 国产 DUV 目前还没有完全摆脱海外供应链。宇量昇使用的投影镜头仍来自德国 Zeiss,而高功率光源也是主要瓶颈。华为已经投资至期光子、科益虹源等公司,分别补国产镜头和光源。