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来源MarsBit

消息称三星将超半数4纳米产能投入HBM4基础裸片生产

火星财经消息 9月8日,据报道,三星电子计划将超过一半的4nm产能投入HBM4基础裸片生产。一位知情人士表示,三星电子的4nm工艺目前已全面投产,HBM4的基础裸片占总产量的50%到60% ,这一高比例将在今年下半年保持下去。(广角观察)
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本周用户最关心股票Top 5:链上币股带动BNC大涨,HBM存储回暖、耐克走出修复

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09-11 00:46

KB 证券:三星 HBM4 销量环比增超三倍,代工业务三季度有望扭亏

火星财经消息,KB 证券 9 月 11 日发布报告指出,三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%,主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍,且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面,4 纳米良率稳定在 80% 以上,2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示,代工业务自第三季度起有望扭亏为盈,2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。

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消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM

火星财经消息,据业界消息,英伟达正考虑将下一代Rubin Ultra人工智能加速器的高带宽内存(HBM)方案,从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下,英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。 (台湾电子时报)

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长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%

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三星 4 纳米过半产能用于 HBM4 基底芯片

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