美光、闪迪赴韩争抢半导体核心人才，三星加码薪酬与股权激励应对挖角
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闪迪专利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同
火星财经消息 6月22日消息，闪迪近日披露一项专利显示，公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构：将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上，并置于中介层，周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问，NAND层承担大容量读写与存储任务。 该设计旨在缓解HBM容量受限问题（单堆约32–64GB）。此前闪迪提出HBF架构，通过TSV垂直堆叠NAND，容量可达4TB，较HBM提升8–16倍，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM，NAND具备更高容量与更低成本，但访问速度更慢。新架构通过3D分层，实现了两者的完美互补。（钛度车库）
美股盘前要闻一览：阿斯麦新一代EUV光刻机获台积电和三星使用承诺；苹果与铠侠签署不设价格上限的NAND长协；津巴布韦叫停锑、钨出口
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货涨跌不一。道琼斯指数期货跌0.78%，标普500指数期货跌0.24%，纳斯达克100指数期货涨0.06%。2、国际油价双双走强。WTI原油期货价格涨2.33%，报93.611美元/桶；布伦特原油期货价格涨1.51%，报98.468美元/桶。消息面上，胡塞武装称即将对沙特展开纵深打击。3、国际金银现货小幅下跌。现货黄金价格跌0.10%，报4401.77美元/盎司；现货白银价格跌0.05%，报66.11美元/盎司。4、欧洲三大股指窄幅波动。英国富时100指数跌0.01%，法国CAC40指数涨0.01%，德国DAX30指数跌0.06%。5、阿斯麦宣布与台积电、三星推进下一代高数值孔径光刻机技术的应用。台积电承诺于2030年将该技术用于先进制程量产，三星则将于2028年前将其用于DRAM量产。6、阿斯麦与台积电宣布推动高数值孔径极紫外光刻光罩从目前的6英寸向12英寸升级，双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线。7、苹果与日本铠侠签署了一项NAND闪存的长期供应协议，这份合同的期限或为三到五年，并且没有价格上限。8、据供应链人士透露，英特尔PC CPU预计将于2026年10月上旬再度涨价10%。与此同时，毛利率偏低的小核产品线或将启动停产退市。9、三星电子4纳米制程据悉已满负荷运转，50%-60%产量正用于生产HBM4内存芯片基础裸片，对应月产能1.5万片。10、量子计算公司Quantinuum获美商务部1亿美元研发拨款，用于本土俘获离子量子计算机芯片及整机制造。11、津巴布韦即刻起禁止锑与钨的出口，矿石与精矿的外运出口也一并暂停，以推动本土加工。12、知情人士称，Anthropic放弃收购以色列AI初创公司Decart，此前预计交易规模60亿美元。(财联社)
Citrini分析师：Rubin Ultra下调HBM堆叠层数未必利空，或扩大HBM总需求
火星财经消息，8 月 30 日，Citrini 分析师 Jukan 发文表示，据其消息来源，英伟达 Rubin Ultra 所采用的 HBM 规格可能由 12 层 HBM4E 下调至 8 层，OpenAI 和 Anthropic 等客户甚至曾要求采用 4 层产品，但遭存储厂商拒绝，目前降规可能止步于 8 层。其认为，降规主要源于良率及成本压力：若采用 12 层 HBM4E 并计入涨价，内存成本可能占 Rubin Ultra 整体物料成本的约 70%。 模型量化、MLA 以及计算任务拆分等软件优化，正将低频访问的 KV 缓存和模型状态转移至 LPDDR、CXL 及 NAND，HBM 主要保留当前计算所需的工作集。因此，在满足最低容量后，客户对 HBM 带宽的重视程度开始超过容量。 其认为，降低堆叠层数可提高封装良率、增加 HBM 及 AI 加速器出货量，反而可能扩大 HBM 总需求；更高带宽要求还会降低晶圆中通过速度分档的芯片比例，进一步消耗 DRAM 晶圆产能。长期来看，HBM 终将被新架构替代，最终方向可能是存储与逻辑芯片融合，未来两年将成为存储厂商能否向逻辑领域扩张的关键阶段。
SK海力士拟深化与日本存储产业合作，并推进美国HBM封装基地建设
BlockBeats 消息，8 月 28 日，SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正在研究深化与日本存储芯片客户及供应商合作的方式，并谨慎评估如何共同发展 NAND 闪存市场。对于公司在铠侠持有的重要间接权益，他表示目前「没有任何确定计划」。 东芝本月减持后，为 SK 海力士持有相关股份的投资工具 BCPE Pangea Cayman2 已成为铠侠最大股东，持股比例为 14.19%。SK 海力士持有可转换为该投资工具几乎全部投票权的债券；根据此前协议，除非获得铠侠同意，其投票权益在 2028 年前不得超过 15%。 此外，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设其首座美国 HBM 封装基地。工厂洁净室预计于 2028 年 10 月启用，下一代 HBM 计划于 2029 年下半年量产，全面运营后预计将雇用约 1000 人。公司同时仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性，但尚未作出决定。
SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
SK 海力士 NAND 业务承压：176 层产品占比过半，落后于三星等竞争对手
ChainCatcher 消息，据韩媒 Chosun Biz 报道，SK 海力士 NAND 因旧工艺产线转换落后，效率差距难缩小。截至今年第二季度，其 176 层产品占比仍约 50%，三星已完成以 236 层为主力的转换。Omdia 数据显示，美光 232 层占比 53%，YMTC 达 68%。NAND 价格上升周期中，先进工艺占比高的企业成本与利润改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 营收份额从去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 从 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士设备投资优先 DRAM 和 HBM，NAND 投资连续三年减少，从 2023 年 35 亿美元降至 2025 年 29 亿美元，拖慢转换。目前正考虑对老旧 NAND 资产减值以优化成本。