矽晶圆供需缺口将由 2026 年底约 8% 扩至 2028 年 24%
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SemiAnalysis分析师:长鑫存储HBM技术落后于头部公司3、4年
火星财经消息,7 月 14 日,SemiAnalysis 分析师 Ray Wang 昨日接受 CNBC 采访时表示,2026 年 HBM 的需求非常强劲,以至于三星和 SK 海力士不断将晶圆产能转向 HBM,而减少对普通 DRAM 的投入,即使目前普通 DRAM 的价格利润更高。 Ray Wang 认为,在 HBM 市场供不应求的情况下,两家韩国制造商都将全部 HBM 产量转化为利润,因此三星获得 HBM 市场份额并不一定意味着 SK 海力士的利益受损。限制因素是晶圆产量,而非市场需求。 谈到即将上市的长鑫存储(CXMT),Ray Wang 称该公司已经占据了大约 10% 的 DRAM 市场份额(bits 计算),这在快速增长的市场中是稳固的,但该公司在工艺技术方面落后了大约三年,在 HBM 方面落后了三到四年。 Ray Wang 认为大部分新增供应将在 2027 年下半年到来,2028 年也会有更多供应,但他仍然认为 2028 年供应不足,仅比 2027 年略微缓解。
SemiAnalysis:长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商,但短期难以改变存储短缺格局
火星财经消息,6 月 30 日,半导体与 AI 独立研究机构 SemiAnalysis 发文表示,长鑫存储(CXMT)目前已成为全球第四大 DRAM 参与者,并对 SK 海力士、三星和美光等存储供应商施加更大压力。尽管该公司正在扩大产能,且未来数月可能在显著现金流积累支持下继续增加产能,但仍面临设备、技术和市场等关键挑战。 在设备方面,CXMT 仍面临多类先进半导体设备出口管制,这些设备涉及 DRAM 和 HBM 生产,包括 EUV 光刻、先进刻蚀工具以及 TSV 相关设备等。CXMT 在多个制造环节仍面临挑战,每个环节都需要不同设备能力、工艺成熟度和整合经验。在技术方面,CXMT 的 DRAM 制程技术仍落后现有领先厂商数代,HBM 领域的差距则更大。随着先进设备在下一代 DRAM 扩展中发挥越来越关键的作用,这一挑战可能随时间变得更加困难。 CXMT 的崛起不应被视为存储周期终结因素,也不是对领先存储厂商的迫近威胁,而更应被视为长期结构性竞争力量。短期来看,DRAM 供给短缺规模过大,CXMT 的增量产出难以实质性缓解市场;本轮超级周期仍由供应受限、存储内容提升、HBM 晶圆吸收以及 AI 驱动需求加速定义。
SemiAnalysis:三星目前拥有最好的HBM4技术,海力士和美光面临挑战
火星财经消息,8 月 31 日,SemiAnalysis 发布最新一期播客节目,其中指出,SK 海力士和美光在实现最高的 HBM4 速度方面一直面临挑战。特别是 SK 海力士不得不重新设计其基础芯片,导致 HBM4 供应给 NVIDIA Rubin 平台的交付延后。 三星目前拥有最好的 HBM4 技术。博通传统上高度依赖三星为其 HBM 供应。三星在 HBM3E 一代的表现不佳,这对博通的 ASIC 构成了劣势。然而,现在三星凭借 HBM4 领先于其竞争对手,这种相同的供应链关系已成为 Jalapeño 的优势。
SemiAnalysis:HBF 非 HBM 替代,成本与散热仍存不确定性
火星财经消息,P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示,目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早,现有数据多为厂商说法,如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善,但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在,耐久性是关键未知数,若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄,仅面向 AI 推理,尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型,并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s,属 HBM3E 级别,适合顺序读取以加载模型权重,更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求,而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决,闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化,UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面,Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验,SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力,但量产仍待证实。整体来看,存储正转向分层专业化市场,NAND 短缺预计持续至 2028 年,HBF 可能进一步影响供需。
SemiAnalysis:Nvidia Rubin Ultra 将搭载 192GB HBM4,容量大幅下调
ChainCatcher 消息,SemiAnalysis 发文称,Nvidia Rubin Ultra 将搭载 192GB 的 HBM4 8-hi 内存。这不仅较最初预览的 1TB HBM 出现大幅下调,甚至低于常规版 Rubin 的 288GB 容量。HBM 配置被削减至原先约五分之一的原因包括:四裸片 Rubin Ultra 方案取消后,cube 数量减至 8 个;堆叠高度由 16-hi 降至 8-hi;并采用使用 24Gb 裸片的 HBM4,而非 32Gb 裸片的 HBM4E。后续或推出 8-hi HBM4E 升级版本。
三星制定“三阶段HBM路线图”:迈向真正的3D ZHBM,将DRAM直接堆叠在计算芯片上
火星财经消息 8月24日,近日,在Hot Chips技术大会上,三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲,正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点,是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上,彻底取消2.5D中介层(interposer)。据报道,三星方面表示,相较于标准HBM4E,zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升,以及每个DRAM模组节省100W功耗,同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。(华尔街见闻)