SemiAnalysis分析师:长鑫存储HBM技术落后于头部公司3、4年
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视频|SemiAnalysis内存分析师:长鑫存储将是今年中国最火爆的半导体IPO
7 月 13 日,SemiAnalysis 内存分析师 Ray Wang 在接受 CNBC 采访时表示,长鑫存储今年在全球 DRAM 市场的份额预计达到约 10%,已成为不可忽视的竞争者。尽管其常规内存技术仍落后三星、SK 海力士约三年,HBM 领域也有三至四年差距,但在 AI 需求增长和海外 HBM 出口限制下,长鑫存储有望继续扩大中国市场份额,其 IPO 也将成为今年中国半导体领域最受关注的项目。
SemiAnalysis:长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商,但短期难以改变存储短缺格局
火星财经消息,6 月 30 日,半导体与 AI 独立研究机构 SemiAnalysis 发文表示,长鑫存储(CXMT)目前已成为全球第四大 DRAM 参与者,并对 SK 海力士、三星和美光等存储供应商施加更大压力。尽管该公司正在扩大产能,且未来数月可能在显著现金流积累支持下继续增加产能,但仍面临设备、技术和市场等关键挑战。 在设备方面,CXMT 仍面临多类先进半导体设备出口管制,这些设备涉及 DRAM 和 HBM 生产,包括 EUV 光刻、先进刻蚀工具以及 TSV 相关设备等。CXMT 在多个制造环节仍面临挑战,每个环节都需要不同设备能力、工艺成熟度和整合经验。在技术方面,CXMT 的 DRAM 制程技术仍落后现有领先厂商数代,HBM 领域的差距则更大。随着先进设备在下一代 DRAM 扩展中发挥越来越关键的作用,这一挑战可能随时间变得更加困难。 CXMT 的崛起不应被视为存储周期终结因素,也不是对领先存储厂商的迫近威胁,而更应被视为长期结构性竞争力量。短期来看,DRAM 供给短缺规模过大,CXMT 的增量产出难以实质性缓解市场;本轮超级周期仍由供应受限、存储内容提升、HBM 晶圆吸收以及 AI 驱动需求加速定义。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
SemiAnalysis:英伟达Rubin Ultra主线版本HBM或降至192GB,数据中心供电与HBM供应成关键约束
BlockBeats 消息,8 月 3 日,研究机构 SemiAnalysis 发布报告称,英伟达向关键客户预览的 Rubin Ultra 规格低于此前市场预期。报告称,Rubin Ultra 主线 SKU 仍将采用 HBM4,理论峰值 FLOPs 保持不变,但 HBM 配置降至 8-Hi、192GB,低于此前 Rubin 的 12-Hi、288GB。芯片级功耗约为 1800W,与初期 Rubin 出货版本相近。 报告指出,Rubin Ultra 当前路线图的主要升级点集中在 NVL576 级别的规模化互联。其中一个系统形态为 8 个 72 GPU 机架互联,并采用 NPO 实现交换机间跨机架连接。SemiAnalysis 认为,该形态是目前较具可能性的候选方案之一。 SemiAnalysis 表示,英伟达仍可能提供 2600W 至 2800W 的 Max-P 高功耗版本,另有面向 token decode 等较低计算负载的 1200W 版本。1800W Max-Q 版本则更符合当前数据中心供电受限环境,在 FLOPs/Watt 维度更具部署效率。 SemiAnalysis 认为,英伟达调整 Rubin Ultra 规格,核心原因在于 HBM 供应紧张及数据中心供电约束。降低 HBM 容量和功耗规格,有助于提升客户部署可行性,降低物料成本,并缓冲明年 HBM 涨价压力。
机构:HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定
火星财经消息,DigiTimes报告显示,受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响,下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性:其生产周期长达四到六个月,且初始良率显著偏低;另一方面,HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍,严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是,当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。据DigiTimes预测,到2027年,全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)