SemiAnalysis:长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商,但短期难以改变存储短缺格局
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SemiAnalysis分析师:长鑫存储HBM技术落后于头部公司3、4年
火星财经消息,7 月 14 日,SemiAnalysis 分析师 Ray Wang 昨日接受 CNBC 采访时表示,2026 年 HBM 的需求非常强劲,以至于三星和 SK 海力士不断将晶圆产能转向 HBM,而减少对普通 DRAM 的投入,即使目前普通 DRAM 的价格利润更高。 Ray Wang 认为,在 HBM 市场供不应求的情况下,两家韩国制造商都将全部 HBM 产量转化为利润,因此三星获得 HBM 市场份额并不一定意味着 SK 海力士的利益受损。限制因素是晶圆产量,而非市场需求。 谈到即将上市的长鑫存储(CXMT),Ray Wang 称该公司已经占据了大约 10% 的 DRAM 市场份额(bits 计算),这在快速增长的市场中是稳固的,但该公司在工艺技术方面落后了大约三年,在 HBM 方面落后了三到四年。 Ray Wang 认为大部分新增供应将在 2027 年下半年到来,2028 年也会有更多供应,但他仍然认为 2028 年供应不足,仅比 2027 年略微缓解。
Citrini分析师:中国CXMT测试键合DRAM试产线,韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示,韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线,目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM,并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM,SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称,有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
SemiAnalysis:英伟达Rubin Ultra主线版本HBM或降至192GB,数据中心供电与HBM供应成关键约束
BlockBeats 消息,8 月 3 日,研究机构 SemiAnalysis 发布报告称,英伟达向关键客户预览的 Rubin Ultra 规格低于此前市场预期。报告称,Rubin Ultra 主线 SKU 仍将采用 HBM4,理论峰值 FLOPs 保持不变,但 HBM 配置降至 8-Hi、192GB,低于此前 Rubin 的 12-Hi、288GB。芯片级功耗约为 1800W,与初期 Rubin 出货版本相近。 报告指出,Rubin Ultra 当前路线图的主要升级点集中在 NVL576 级别的规模化互联。其中一个系统形态为 8 个 72 GPU 机架互联,并采用 NPO 实现交换机间跨机架连接。SemiAnalysis 认为,该形态是目前较具可能性的候选方案之一。 SemiAnalysis 表示,英伟达仍可能提供 2600W 至 2800W 的 Max-P 高功耗版本,另有面向 token decode 等较低计算负载的 1200W 版本。1800W Max-Q 版本则更符合当前数据中心供电受限环境,在 FLOPs/Watt 维度更具部署效率。 SemiAnalysis 认为,英伟达调整 Rubin Ultra 规格,核心原因在于 HBM 供应紧张及数据中心供电约束。降低 HBM 容量和功耗规格,有助于提升客户部署可行性,降低物料成本,并缓冲明年 HBM 涨价压力。
机构:HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定
火星财经消息,DigiTimes报告显示,受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响,下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性:其生产周期长达四到六个月,且初始良率显著偏低;另一方面,HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍,严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是,当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。据DigiTimes预测,到2027年,全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)