欧康诺将与海光信息联合打造国产化内存、存储芯片测试平台 预计年底发布
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机构：预计由Agent AI和AI服务器CPU增长所驱动的潜在需求将进一步推高传统DRAM价格
火星财经消息 8月4日，根据Counterpoint Research最新发布的全球存储追踪报告，三星在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，市场份额恢复至2024年水平。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。作为全球三大存储厂商之一，美光同样取得了较好的季度业绩，以25%的市场份额几乎与SK海力士争夺第二的位置。该机构预计，由Agent AI和AI服务器CPU增长所驱动的潜在需求将进一步推高传统DRAM的价格。（广角观察）
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
分析：1b DRAM 单位面积价值超台积电 2 纳米
火星财经消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。
日经指数走强，Meta发布AI设备提振CPU相关股票
BlockBeats 消息，9 月 24 日，周四，受 Meta 发布一款名为「Meta Charm」的小型手持设备的消息提振，CPU 相关股票大幅上涨，推动日经 225 指数走高。 该设备旨在运行 Meta 新款 Muse AI 助手，从而刺激了对关键计算机组件的需求。截至午间休市，日经指数上涨 1.33%，东证指数微涨 0.12%。IwaiCosmo Securities 首席策略师 Kazuaki Shimada 表示，这一消息提振了其他 CPU 相关公司的股价。 Socionext、Meiko Electronic 和 Ushio Inc 均上涨超过 10%。芯片测试设备制造商爱德万测试上涨 4%，软银集团微涨 0.52%。策略师表示，在近期交易中，芯片相关股票往往能抵御收益率上升的影响。
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。
灰度将比特币矿企 ETF 转型为 AI 算力 ETF，代码改为 GCPU
火星财经消息，据灰度 (Grayscale) 官方公告，其将旗下灰度比特币矿企 ETF (Grayscale Bitcoin Miners ETF) 更名为灰度 AI 算力 ETF (Grayscale AI Compute ETF)，纽交所交易代码由 MNRS 改为 GCPU，追踪指数由 Indxx 比特币矿企指数改为 Indxx 高性能计算指数。该基金将投资于构建和运营 AI 基础设施的公司，约一半持仓为原生 AI 算力企业，其余为公开承诺向 AI 业务转型的数字基础设施运营商，包括由比特币挖矿转型的企业。