美国国际贸易委员会调查美光及多家服务器厂商存储产品
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长鑫存储研发人员同比增长约60%，第二季度全球DRAM市占率升至9.5%
PANews 9月11日消息，据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）研发人员规模同比增长约60%，并启动2027届全球招聘，提供180多个岗位，工作地点涵盖合肥、北京、上海、西安及日本。招聘方向包括电路设计、研发技术、量产技术、生产运营、IT及市场营销，其中研发类岗位占比最高。 数据显示，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收环比增长99.3%，全球市场份额由第一季度的7.6%升至9.5%，位列全球第四，仅次于三星、SK海力士和美光。
Fish Audio发布Drama 3：把TTS做成可编辑音频，错一个词只重做一个词
动察 Beating AI 快讯，AI 语音公司 Fish Audio 发布语音模型 Drama 3 预览版，主打更精细的语音控制。用户可以直接用自然语言描述语气、节奏和角色，不需要自己组合一堆情绪或音频标签。 Drama 3 可以在一句话中途改变声音和说话方式，也能一次生成多个角色的对话。哪里不满意，还可以只重做一个词，不需要整段重新生成。 Fish Audio 上一代 S2 已经支持用自然语言控制语音。Drama 3 继续把控制做细，把句中换声、多角色生成和局部重做放进同一个模型里。对于游戏对白、有声内容和 AI 角色，后期修改会方便很多。 目前 Drama 3 仍处于 Preview 阶段，开发者可以申请 API 测试资格。
分析：1b DRAM 单位面积价值超台积电 2 纳米
火星财经消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。
分析：AI 领域交易三个月无回报 仅 DRAM 价格上涨
ChainCatcher 消息，富达投资全球宏观总监 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 领域交易已超过三个月处于“死钱”状态，其跟踪的 token 支出和 GPU 租赁费率均持平或下降，仅内存（DRAM）价格持续上涨。Timmer 认为，AI 长期将改变生活，并可能释放生产率奇迹，使经济非通胀速度上限提高到足以维持全球债务可持续的水平。但在此之前，当前的建设是通胀性的，对数万亿美元算力投资的回报尚不确定，企业股权和债务资本需求正以 3.3 万亿美元的速度增长。
长鑫存储年底 DRAM 月产能将达 35 万片，接近美光
火星财经消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。