长鑫存储研发人员同比增长约60%，第二季度全球DRAM市占率升至9.5%
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分析：CXMT 产能见顶，DRAM 价格持续大涨
火星财经消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。
美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
Apple开始测试CXMT DRAM，用于在中国销售设备
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据 FT 报道，Apple 已开始测试 CXMT 的 DRAM，用于在中国销售的 Apple 设备。
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
Trendforce：预计传统DRAM价格Q3上涨13%至18%
BlockBeats 消息，7 月 4 日，Trendforce 预计，在 2026 年第三季度，传统 DRAM 产品的合同价格将环比上涨 13% 至 18%。
TrendForce：DRAM市场Q3仍将持续面临严重供应短缺
BlockBeats 消息，7 月 3 日，高科技产业研究机构 TrendForce 发布最新的内存价格调查，2026 年第三季度 DRAM 市场预计将持续面临全面的严重供应短缺。尽管如此，消费应用需求放缓和高基数效应将略微缓和涨幅速度，DRAM 合同价格预计环比上涨 +13 至 18%。 对于 NAND Flash，TrendForce 认为 AI 推理需求和大规模数据中心建设继续驱动大部分需求。然而，随着合同价格已处于历史高位且消费市场需求放缓，客户进一步吸收价格上涨的能力已达极限。 因此，TrendForce 预测 NAND Flash 合同价格环比上涨 +10 至 15%，涨幅幅度较前几季度明显收窄。