高盛：韩国散户资金流向加密，导致KOSPI指数上行缺乏买盘支撑
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三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。
「大空头」Michael Burry加码做空美光、Nebius、SOXX及Palantir，称存储芯片短缺或在两年内消退
BlockBeats 消息，9 月 24 日，据 CNBC 报道，「大空头」投资者 Michael Burry 认为，当前 AI 建设推动的存储芯片结构性短缺只是暂时现象。随着产能在未来两年逐步追上需求，存储芯片行业可能重新回归传统的周期性涨跌，并对推动纳斯达克 100 指数创新高的科技股构成压力。 Burry 表示，他正在增加对存储芯片制造商美光科技、AI 云计算平台 Nebius、iShares 半导体 ETF（SOXX）及数据分析软件公司 Palantir 的空头仓位，并继续持有看跌期权。不过，若相关标的再次升至新高，他将考虑回补部分空头。 Burry 援引宏碁 CEO 陈俊圣的观点称，中国存储芯片产能持续增加，长期短缺难以维持，目前部分产品价格上涨，另一些则已开始下降。美国战略与国际问题研究中心经济学家 Sujai Shivakumar 同样警告，中国 DRAM 和 NAND 产能扩张虽然可能缓解短期供应压力，但也可能带来供应过剩、低价倾销、贸易摩擦及市场对中国供应商依赖加深等风险。 Burry 同时将纳斯达克 100 指数形容为「处于历史性高估水平且权重高度集中」。该指数周二上涨近 1%，收于 30,732 点的历史新高，过去 6 个交易日中有 5 日上涨。BTIG 技术分析师 Jonathan Krinsky 指出，纳斯达克 100 指数自 8 月中旬以来大致持平，但成分股中站上 200 日均线的比例已由 77% 降至 56%，显示 AI 交易的整体强度正在减弱。 在扩大空头仓位的同时，Burry 还增持 QXO、Build-A-Bear Workshop、Sprouts Farmers Market、Birkenstock 及 MercadoLibre。他表示，这些股票已出现大幅调整，当前价格具有吸引力，相关持仓现已达到其计划中的完整仓位。
分析：1b DRAM 单位面积价值超台积电 2 纳米
火星财经消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。
分析：AI 领域交易三个月无回报 仅 DRAM 价格上涨
ChainCatcher 消息，富达投资全球宏观总监 Jurrien Timmer 在 X 平台表示，AI 领域交易已超过三个月处于“死钱”状态，其跟踪的 token 支出和 GPU 租赁费率均持平或下降，仅内存（DRAM）价格持续上涨。Timmer 认为，AI 长期将改变生活，并可能释放生产率奇迹，使经济非通胀速度上限提高到足以维持全球债务可持续的水平。但在此之前，当前的建设是通胀性的，对数万亿美元算力投资的回报尚不确定，企业股权和债务资本需求正以 3.3 万亿美元的速度增长。
三星电子拟扩产 4 纳米应对 HBM4 需求
火星财经消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；