光互连芯片公司 Volantis 完成 8800 万美元 A 轮融资
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上海：围绕高性能计算芯片（GPU/NPU）、量子芯片（QPU）、高速光互连（CPO）、高带宽内存（HBM）及异构服务器等核心环节 推动自主芯片与主流大模型深度融合
火星财经消息,上海市经济和信息化委员会印发《上海市软件和信息服务业发展“十五五”规划》。其中提到，攻坚下一代模型架构，推动基于状态空间模型、循环神经网络变体、液态神经网络等非Transformer架构的多技术路线探索。加快布局物理智能、世界模型、量子智能、类脑智能等前沿基础模型技术体系。攻关超大规模智能算力集群组网技术，围绕高性能计算芯片（GPU/NPU）、量子芯片（QPU）、高速光互连（CPO）、高带宽内存（HBM）及异构服务器等核心环节，提升智算硬件的供给能力，推动自主芯片与主流大模型深度融合。聚焦新型存储检索、数模协同等，突破高精度异构处理、原生多模态融合及动态价值对齐等关键技术，建设覆盖语料全生命周期的自动化复杂推理。(财联社)
台积电加速布局 CPO，业界看好形成新摩尔定律
火星财经消息，据台湾《工商时报》9 月 14 日报道，随着 GPU、ASIC 运算能力持续跃升，传统铜互连逐渐逼近功耗与讯号传输极限，台积电正加速布局共同封装光学 CPO。业界看好，若 CPO 频宽维持每两年倍增，有望形成 AI 时代的「CPO 摩尔定律」。业界分析，CPO 频宽升级主要有三条路径，包括单通道速度由 200G 朝 400G 以上提升、光通道数量从 16 条向 32 条、64 条以上扩张，以及导入波长分波多工 WDM。至 2040 年理论值可达现阶段约 128 倍，以现阶段约 3.2T 等级计算，长期具有朝数百 T 发展的空间。台积电在光互连的角色由晶圆代工延伸至系统整合，从 3DFabric、CoWoS、SoIC 到硅光子与 CPO，逐步将运算、HBM 存储器及高速 I/O 整合。当高速电讯号超过 200G，经过 ABF 载板、PCB 与连接器等较长铜路径后讯号衰减加剧，产业朝铜路径缩短、光路径拉长发展。封装架构方面，现阶段光引擎先布局于载板，下一步可望将 CPO 置于中介层，未来更可能利用 SoIC 技术让光子集成电路 PIC 与 ASIC 走向 3D 垂直整合。业者表示，CPO 迈向量产仍须克服封装、光耦合与测试关卡；
台积电暂用微凸块封装 HBM，要求开发 5μm 方案
火星财经消息，据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电预计短期内继续使用传统微凸块技术而非混合键合，用于连接高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器的先进封装。考虑到相关材料开发周期，更细间距微凸块预计将沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期。台积电已要求材料和设备合作伙伴开发约 5 微米级凸块的键合和底部填充解决方案，韩国和日本供应商已开始开发，5μm 级凸块量产预计于 2028 年下半年开始。目前第三代扩展 HBM 即 HBM3E 的凸块高度约 15–25μm，HBM4 接近约 10μm。日本材料供应商此前表示难以保证 15μm 以下品质。缩短并细化凸块是因为 HBM 立方体高度限制及更高互连密度需求。JEDEC 规定 HBM 堆叠最大高度为 775μm。在台积电先进 CoWoS 封装中，GPU 与存储器供应商已组装的 HBM 堆叠通过微凸块安装到硅中介层上，16 层 DRAM 晶粒堆叠由 SK hynix 和三星电子等在 HBM 封装内完成。第一代和第二代 HBM 使用较大焊料凸块，微凸块在 HBM3 代左右成为主流。SK hynix 使用 MR-MUF 工艺，三星电子使用 TC-NCF。混合键合通过直接键合铜焊盘可实现更薄更密互连，台积电已在 SoIC 平台用于逻辑芯片堆叠，但 HBM 仍以微凸块连接中介层。
美股盘前要闻一览：台积电预计2027年硅光子市占率超50%；SK海力士拟将部分HBM基础裸片交由英特尔生产；苹果明日正式换帅特努斯接任CEO
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体下行。道琼斯指数期货跌0.30%，标普500指数期货跌0.31%，纳斯达克100指数期货跌0.18%。2、国际油价集体上涨。WTI原油期货价格涨3.47%，报86.292美元/桶；布伦特原油期货价格涨3.20%，报90.919美元/桶。消息面上，特朗普称美国将对伊朗袭击美军事件作出回应。3、国际金银现货涨跌互现。现货黄金价格跌0.19%，报4445.86美元/盎司；现货白银价格涨1.09%，报67.02美元/盎司。4、欧洲三大股指涨跌不一。英国富时100指数涨0.29%，法国CAC40指数涨0.21%，德国DAX30指数跌0.69%。5、英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM，可为XPU提供更高的内存性能和效率。6、台积电表示，光收发器底层架构正经历结构性转变，硅光子已成为主流型态，预计2027年市占率有望超过50%，而硅光子最终体现是共封装光学（CPO），今年下半年将有厂商投入量产。7、SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片交由英特尔生产，借此减少对台积电晶圆代工的依赖。该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始。8、苹果将于9月1日正式完成2011年以来首次CEO换届。现任硬件工程高级副总裁约翰·特努斯将接替库克出任CEO并加入董事会。9、OpenAI等一些人工智能实验室据悉已经购买了数万台Mac mini和Mac Studio，用于训练AI智能体，并且急需更多此类设备。Anthropic也从亚马逊AWS租用Mac mini。10、SpaceX正在美国得州Bastrop建设铸造厂，用于生产大型燃气轮机的叶片和导叶。燃气轮机投入运行的时间最多提前18个月。11、礼来表示，Taltz与Zepbound两款药物在肥胖治疗中的研究数据均显示出积极结果。(财联社)
英伟达推出NVHBM定制高带宽内存：相比HBM4e带宽提升30%、功耗降低15%
PANews 8月27日消息，据IT之家报道，英伟达推出NVHBM定制高带宽内存，采用定制的HBM基础裸片，相比传统HBM4e可以提供更高的带宽、更低的功耗以及更小的芯片面积。英伟达称，NVHBM已经与“领先的内存厂商”共同完成设计和验证，因此，对于开发定制芯片的厂商来说，相比从零开始采用标准HBM，NVHBM有望帮助其更快推出产品。 对于AI加速器而言，内存带宽至关重要。英伟达表示，与标准HBM4e相比，NVHBM每个内存堆栈的带宽最高可以提升30%。对于受内存带宽限制的AI工作负载来说，更高的带宽意味着更高的吞吐量，例如在AI推理场景下，可以提高每秒生成的Token数量。
台积电 CoWoS 订单爆满外溢，传英特尔马来西亚厂支援后段封装
火星财经消息，据经济日报报道，台积电先进封装 CoWoS 产能供不应求，业界传出后段部分订单已外溢至英特尔旗下马来西亚厂，由英特尔以部分产能协助封装，服务共同大客户，打破过往生态系竞争惯例。台积电董事长魏哲家此前在法说会上表示，台积电专注前段先进封装，后段短缺部分“乐见更多厂商供应产能”，为共同客户提供灵活替代方案。报道指出，先进封装产能瓶颈主要在后段放量速度低于前段制程，CoWoS 产能缺口扩大迫使订单外溢。SemiAnalysis Chipbook 数据显示，已有约 13 亿美元 HBM 运往马来西亚，业界分析指英特尔当地厂应已具备大规模 HBM 整合能力。英特尔 CEO 陈立武表示，EMIB-T 技术正在确保可靠良率，CoWoS 产能不足背景下“英特尔处于能够提供支援的独特位置”。欣兴、日月光投控、家登等重叠供应链有望同步受惠，其中欣兴股价当日涨超 7%。英特尔 EMIB-T 相关应用目标 2027 年量产。