韩国半导体展14日启幕 HBM、物理AI芯片成核心看点
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铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)
三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）
花旗预计AI将推动2027年企业级SSD需求激增53%
BlockBeats 消息，9 月 22 日，花旗预计，2027 年企业级 SSD 需求将同比增长 52.9%，2028 年再增长 41%，因为 AI 推理、持续学习以及英伟达的 KV 缓存卸载将推动 GPU 附近存储需求大幅增加。 该银行预计，2027 年总 SSD 需求将增长 45%，基于 QLC 的近 GPU 存储将获得更多采用，因为 AI 系统越来越需要靠近加速器的庞大高速存储池。此外，花旗预计 2027 年 NAND 需求将增长 29%，2028 年增长 33%，而供应增长仅为 21% 和 25%，因为存储制造商优先增加 DRAM 和 HBM 产能。