2026年韩国半导体展览会举办在即 三星电子、SK海力士将展出下一代内存技术
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SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
Citrini分析师质疑闪迪HBF性能对比：演示参数或低估HBM实际能力
火星财经消息，8 月 14 日，Citrini 分析师 Zephyr 发文质疑闪迪在投资者日展示的 HBF 与 HBM 性能对比存在参数设置偏差，认为公司在演示中「刻意低估了 HBM 的性能」。 他指出，闪迪在对比中将 HBM 与 HBF 的总带宽均设为 12.8TB/s，相当于每个堆栈 1.6TB/s；同时采用 bfloat16 运行 Qwen3-480B-A35B 模型。Zephyr 称，当前模型推理更多使用 FP4 或 FP8，因此该模型在不同量化方式下所需容量约为 240GB 至 480GB。 Zephyr 还表示，闪迪将 HBM 单 GPU 容量固定为 192GB，但 16 层 HBM4E 在 8 个堆栈配置下可达到 512GB 容量，并提供约 32TB/s 带宽，约为闪迪演示参数的 3 倍。 其认为，上述参数选择使闪迪展示的「HBF 仅需 1 至 4 个 GPU，而 HBM 需要 8 个 GPU」的结果不能充分代表更高规格 HBM 配置下的实际性能。
韩国半导体展14日启幕 HBM、物理AI芯片成核心看点
韩国半导体产业协会10月12日表示，第28届韩国半导体展览会将于10月14日至16日举办，展会主题为“走进硅基智能时代（Into the Era of Silicon Intelligence）”。本届展会规模创下历史新高，共有300家企业参展，较去年增加约70家，搭建888个展位。SK海力士将发布下一代HBM4E（第七代HBM）与高带宽闪存（HBF）技术，同时展出服务器、PC、移动端DRAM、NAND闪存、固态硬盘（SSD）等旗舰产品。Jusung Engineering、SEMES、韩美半导体等韩国本土核心材料、零部件及设备大厂也将参展。（新浪财经）
Bubble boi：高带宽闪存主要客户是难以获得高端 HBM 的中国客户
火星财经消息，BidClub 播客第 166 期中，芯片设计师 Bubble boi 表示，高带宽闪存在技术上有吸引力，但缺乏决定性数据中心用例。他给出的信息是，所听说的主要客户是难以获得或生产高端 HBM 的中国客户。Bubble boi 称，HBF 与高端 AI 闪存延迟均约 5 微秒，带宽低于 HBM，单位比特成本更低但总成本可能相当。他认为最清晰的客户是无法获得 HBM 的主体，这与他从两到三人处听到的中国需求相符，因其无法充分制造加速器，或愿接受非领先规格产品。
闪迪详解AI存储战略，签939亿美元长期协议，HBF样品2027年亮相
BlockBeats 消息，8 月 14 日，闪迪在最新发布的投资者日材料中表示，AI 数据中心建设正在改变闪存行业的需求结构。公司预计，2026 年 Flash 市场规模将达到约 1.2ZB，数据中心将超过 Edge 成为最大需求来源；到 2027 年，行业收入 TAM 将从历史约 600 亿美元的周期中枢，跃升至 3000 亿美元以上，并接近 5000 亿美元。 这套叙事的核心在于 AI 推理。闪迪认为，长上下文、RAG、多模态和智能体应用将带来 KV Cache 需求，SSD 将从低附加值存储组件升级为 AI 基础设施中的战略环节。公司甚至将 SSD 称为「Token Battery」，意指通过存储已完成的计算结果，减少重复计算、降低能耗并提升吞吐。 商业模式上，闪迪强调与大客户签署多年期新商业模式协议，以降低 NAND 行业传统周期波动。公司称，目前已有 8 个客户参与相关安排，平均合同期限超过 4 年，到 FY2027 约一半 bit 供应将纳入该模式，到 FY2028 占比将升至约三分之二。相关协议按地板价计算的总合同价值为 939 亿美元，剩余履约义务为 911 亿美元，并有 165 亿美元金融担保支持。 财务目标同样激进。闪迪预计 FY2026 全年收入将达到 200 亿美元，同比增长 175%；Non-GAAP 毛利率为 71.6%，调整后自由现金流为 87 亿美元。公司给出的 FY2028 至 FY2030 长期模型显示，收入将保持中高双位数增长，Non-GAAP 毛利率约 80%，经营利润率约 75%，调整后自由现金流率约 50%。 下一条更远的主线是 HBF 高带宽闪存。闪迪称，HBF 将面向大模型推理中的「memory wall」问题，在相近读取带宽下提供最高为 HBM 8 至 16 倍的容量。公司预计首个 HBF 推理产品样品将在 2027 年出现，这将让市场继续用 AI 内存架构变化来重新评估其长期空间。
三星与 SK 海力士应对 HBM4E 散热，AI 中介层或扩至 40 倍
火星财经消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。