存储渠道价格先动，企业级颗粒酝酿涨价
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分析：存储又在酝酿新一轮涨价，主要集中在DRAM合约端和企业级SSD环节
Odaily星球日报讯 近日，多位存储行业人士透露，部分头部企业已向渠道商口头告知企业级颗粒的涨价意向，提价函尚未正式下发，但渠道端的价格已经先动了起来。多位代理商证实了上述涨价信号。一位海力士代理商表示：“每天都在涨”。他观察到，二手盘回收价格一直在往上走，并带动整体报价上行；价格调整的路径则是省代每周调价，代理产品价格再往下传，“我们跟着调”。 一位三星代理商表示，这轮涨价并不是全品类普涨：涨价主要集中在 DRAM 合约端和企业级 SSD 原厂/渠道端，并非消费级 NAND 的全面跟涨。“大头还是算力中心，基层反馈的需求其实一般。” 由于涨价先集中在 DRAM 合约端和企业级 SSD 环节，这轮价格从原厂往外传时，首先抵达的不是终端消费者，而是夹在中间的制造企业和模组厂商。这些厂商是原厂涨价的第一道承接方，在产业链中的位置不同，感受和压力也明显不同。（蓝鲸新闻）
铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
小摩：DRAM/NAND供需仍紧 基本面有望强至2028年
火星财经消息,摩根大通最新研报指出，主要存储股较2026年高点平均回撤约45%，费城半导体指数较近期高点回撤约29%。该行认为，尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报，但DRAM和NAND供需仍然紧张，长期供货协议不断扩大覆盖范围，行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月，存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。(财联社)
三星电子：存储需求将进一步增长 继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模
火星财经消息,三星电子在Q3财报中表示，存储需求将进一步增长，需求重心集中在适配新一代CPU/GPU平台的存储产品。伴随个人AI智能代理服务扩张，QLC固态硬盘需求大幅攀升。继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模，提升高速服务器DDR5、QLC产品的供货量。(财联社)
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。
花旗预计AI将推动2027年企业级SSD需求激增53%
BlockBeats 消息，9 月 22 日，花旗预计，2027 年企业级 SSD 需求将同比增长 52.9%，2028 年再增长 41%，因为 AI 推理、持续学习以及英伟达的 KV 缓存卸载将推动 GPU 附近存储需求大幅增加。 该银行预计，2027 年总 SSD 需求将增长 45%，基于 QLC 的近 GPU 存储将获得更多采用，因为 AI 系统越来越需要靠近加速器的庞大高速存储池。此外，花旗预计 2027 年 NAND 需求将增长 29%，2028 年增长 33%，而供应增长仅为 21% 和 25%，因为存储制造商优先增加 DRAM 和 HBM 产能。