中国企业削减 eSSD 订单，三星与 SK 海力士增加对美供应
相关推荐
SK海力士公布用于SSD的紧凑型处理器H-TPU
火星财经消息,SK海力士公布了自主研发的用于SSD的紧凑型处理器 (H-TPU)的具体结构和性能，它将通用CPU处理的重复性任务分配给大约100个H-TPU，从而降低了功耗和芯片面积。公司表示：“目前，SSD控制器内部的通用CPU在功耗和面积方面都已达到极限。而SK海力士开发了H-TPU，可以高效地处理常见的输入/输出（I/O）传输路径。”SK海力士计划将H-TPU技术应用于包括下一代企业级固态硬盘（eSSD）控制器在内的各种NAND闪存产品线，还将应用于下一代AI存储架构“Storage Next”。 （TheElec）
三星电子规划三款 zNAND，面向定制化 AI 存储
火星财经消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。
三星与 SK 海力士加强中国 NAND 基地，内年前推进设备投资
火星财经消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子与 SK 海力士计划至明年持续对中国 NAND 闪存量产线进行设备投资，以强化当地生产据点。三星今年上半年起已在西安 X2 产线推进 V9 NAND 转换投资，该产品为约 280 层堆叠的先进制程，预期可形成月产能 4 万至 5 万片；为稳定量产，公司已确定补充投资计划，核心是追加蚀刻工艺设备，相关采购订单有望年底前后明确，补充投资拟自明年下半年起执行。SK 海力士则自今年三季度起推进大连 2 厂 NAND 产品升级相关设备投资，讨论中的规模约合月产能 3 万片，关键制造设备自下月起陆续进场，并计划于明年上半年前完成部署。大连工厂系其 2020 年下半年收购英特尔 NAND 事业部后承接的资产，2022 年曾为扩产举行 2 厂开工仪式，后因市况等因素暂缓设备投入，目前投资重新启动。行业人士指出，上述安排旨在分阶段扩大中国境内先进 NAND 产能，以应对人工智能服务器等领域对高端存储需求的快速增长。
分析：存储又在酝酿新一轮涨价，主要集中在DRAM合约端和企业级SSD环节
Odaily星球日报讯 近日，多位存储行业人士透露，部分头部企业已向渠道商口头告知企业级颗粒的涨价意向，提价函尚未正式下发，但渠道端的价格已经先动了起来。多位代理商证实了上述涨价信号。一位海力士代理商表示：“每天都在涨”。他观察到，二手盘回收价格一直在往上走，并带动整体报价上行；价格调整的路径则是省代每周调价，代理产品价格再往下传，“我们跟着调”。 一位三星代理商表示，这轮涨价并不是全品类普涨：涨价主要集中在 DRAM 合约端和企业级 SSD 原厂/渠道端，并非消费级 NAND 的全面跟涨。“大头还是算力中心，基层反馈的需求其实一般。” 由于涨价先集中在 DRAM 合约端和企业级 SSD 环节，这轮价格从原厂往外传时，首先抵达的不是终端消费者，而是夹在中间的制造企业和模组厂商。这些厂商是原厂涨价的第一道承接方，在产业链中的位置不同，感受和压力也明显不同。（蓝鲸新闻）
消息称Solidigm计划在美斥资450亿美元建设NAND晶圆厂
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士旗下NAND与SSD企业Solidigm正就在美新建晶圆厂事宜与美国商务部洽谈。Solidigm计划为此投资450亿美元，并最终有望扩展近1000亿美元。消息人士透露，潜在的建厂地址包括纽约州在内的多个州，晶圆厂最早可能明年动工。该企业目前采用“双头”业务结构：在美设有总部和研发设施，中国则是其唯一量产晶圆厂所在地。Solidigm 计划先在中国实践新技术然后转移至拟设的美国晶圆厂，但这需要得到美国商务部的许可。（广角观察）
花旗预计AI将推动2027年企业级SSD需求激增53%
BlockBeats 消息，9 月 22 日，花旗预计，2027 年企业级 SSD 需求将同比增长 52.9%，2028 年再增长 41%，因为 AI 推理、持续学习以及英伟达的 KV 缓存卸载将推动 GPU 附近存储需求大幅增加。 该银行预计，2027 年总 SSD 需求将增长 45%，基于 QLC 的近 GPU 存储将获得更多采用，因为 AI 系统越来越需要靠近加速器的庞大高速存储池。此外，花旗预计 2027 年 NAND 需求将增长 29%，2028 年增长 33%，而供应增长仅为 21% 和 25%，因为存储制造商优先增加 DRAM 和 HBM 产能。