机构集体重估闪迪：AI推理催生KV Cache刚需，NAND从「周期品」晋级「基建主线」
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Rubin减配致内存股深度回调，市场观点汇总：或仅为过渡方案，利好SSD和光互连
BlockBeats 消息，6 月 5 日，昨夜今晨，知名投研机构 SemiAnalysis 发布投研报告指出英伟达下一代 AI 服务器集群 Rubin NVL72 将在内存配置上做出重大调整，单机柜容量从原计划的 55TB 骤降到 28TB，同时，大多数 Rubin 系统将采用 96GB SOCAMM 模块，而非原计划的 192GB 模块。该报告引发市场巨震，美光收盘大跌 7.7%，韩国 SK 海力士开盘暴跌 8.32%。 对此，市场观点普遍谨慎乐观，认为市场存在反应过度。 美股 KOL Herman Jin 表示，内存减配本质原因是供应不够，并非需求减少。英伟达交换机方案或也存在类似利空消息。其再次强调，模型端需求才是 AI 热潮是否结束的关键指标。 另有观点指出，市场下一步应关注内存减配措施是否仅仅是过渡方案。另外，当 CPU 侧用于承载庞大上下文（KV Cache）的系统内存缩水后，GPU 算力瓶颈将无可避免地向 SSD 侧和互连侧转移，CSP 需要采购更多的高性能 SSD 或者采用更高性能的柜内连接连接方案，利好 NAND 企业，如：KIOXIA，闪迪和光链接企业 LITE，Marvell（MRVL），康宁的需求。
SK海力士将重启中国大连NAND闪存产线投资，产能预计提升50%
BlockBeats 消息，8 月 11 日，据韩媒《每日经济新闻》报道，SK 海力士旗下 NAND 子公司 Solidigm 计划重启中国大连 NAND 闪存生产基地二期工厂建设，预计今年 11 月开始设备搬入，并于明年上半年正式投产。 大连二期项目此前因 NAND 市场低迷、库存调整以及美国对华半导体设备限制等因素长期停滞。随着 AI 数据中心扩张推动企业级固态硬盘（eSSD）需求增长，SK 海力士决定恢复投资，以扩大 NAND 产能。 大连一期工厂目前月产能约 10 万片晶圆，二期项目完成后预计新增月产能约 5 万片，整体产能将提升约 50%。SK 海力士计划采用「双轨生产」策略，在大连基地生产成熟制程 NAND，同时将高端 NAND 产品集中于韩国清州 M17 工厂生产。
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存，332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息，8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，搭载最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，其存储密度超过 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。
高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议的内存板块点评，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，因此小幅下调第三季度 DRAM 价格增长预期。与此同时 NAND 前景变得更为乐观——AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，叠加市场上出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新兴趋势，进一步支撑 NAND 需求。分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计营收约 85 万亿韩元，毛利率高达 63%，相关标的包括 SK 海力士、美光及闪迪。 点评还透露出存储市场的结构性变化。此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格飙升，但当涨幅触及 30% 后客户开始抗拒继续涨价，涨价斜率面临阶段性放缓。而 NAND 正在抢占 AI 基础设施中的新角色——KV Cache 在推理场景中至关重要，用较便宜的 NAND 部分替代昂贵的 DRAM 以降低成本正在成为实际趋势。这种分化也意味着存储产业链内部资金轮动或将延续，投资者对 DRAM 相关标的短期盈利预期需更谨慎，而 NAND 端的基本面改善可能还未被充分定价。
高盛上调铠侠目标价，AI存储需求将NAND周期推向更高峰值
BlockBeats 消息，7 月 1 日，在 AI 数据中心建设持续推高存储需求之际，高盛把日本 NAND 闪存制造商 Kioxia Holdings 的 12 个月目标价上调至 116,000 日元，并维持买入评级。该行认为，NAND 市场的供需紧张程度超过此前预期，价格上涨周期可能延续至 2027 年中，甚至在部分环节持续到 2028 年。 高盛在 6 月 30 日的报告中称，已将铠侠 FY3/27 至 FY3/29 的营业利润预测分别上调 9%、19% 和 29%，EPS 预测也分别上调 10%、19% 和 29%。该行预计，按日历年计算，NAND 平均售价将在 2026 年大幅上涨，并在 2027 年继续增长 38%，高于此前 27% 的预期。报告称，日本渠道调研显示，主要存储厂商仍优先把资本开支投向 DRAM，而不是大规模增加 NAND 新产能；在 AI 需求扩张背景下，新的 NAND 供给增量可能要到 2028 年才明显释放。 这使铠侠重新进入投资者视野。过去几个周期中，NAND 市场一直被视为更容易过剩、更周期化的存储板块，因为参与者数量多于 DRAM 和 HDD 行业。但高盛认为，这一轮上行周期的利润峰值可能比市场此前假设更高，并且可以维持更久。背后原因包括企业级 SSD 需求上升、HDD 市场供应紧张带来的替代需求，以及美国出口管制可能影响部分韩国厂商在中国工厂的设备供应。 铠侠管理层近期也释放了更重视价格和利润率的信号。高盛称，公司并不急于通过长期协议锁定出货，而是更强调价格纪律和毛利率水平。由于部分一季度比特出货的价格谈判在公司发布指引时尚未完成，高盛预计，铠侠 7 月 31 日公布的 FY3/27 一季度营业利润可能达到 1.417 万亿日元，高于公司指引的 1.298 万亿日元和彭博一致预期的 1.36 万亿日元。 在投资逻辑上，高盛看重两点。第一，铠侠是全球第三大 NAND 闪存厂商，具备相对较强的成本竞争力。第二，公司正在逐步发展面向数据中心的产品，而数据中心预计将成为 NAND 市场中增长更快的部分。随着 AI 服务器和企业级 SSD 对高性能存储需求增加，铠侠有机会在价格上涨周期中获得更高利润率。 不过，高盛也提醒，NAND 行业的周期性并没有消失。风险包括 AI 投资放缓、中国 NAND 厂商崛起、成本上升或产能利用率波动导致利润率下滑、日元大幅升值，以及非 AI 应用的
铠侠加速 AI 用 NAND 布局，量产 PCIe 6.0 及 UFS 5.0 产品追赶韩厂
火星财经消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。