元脑服务器推出CXL内存跨代扩展方案，实现DDR5和DDR4同机部署内存扩容
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高盛：韩国散户资金流向加密，导致KOSPI指数上行缺乏买盘支撑
火星财经消息，9 月 28 日，高盛全球投资研究部（GIR）韩国股票分析师 Chris Cha 在 9 月 23 日的报告中表示，KOSPI 正具备短线「战术性突破」的条件，但韩国散户流动性持续流向加密市场，将令指数后续上行更依赖外资和本土机构的重新配置。 高盛在报告中表示，美联储利率担忧已被市场部分消化，风险偏好正重新转向「代理式 AI」主题。韩国存储芯片也将提供基本面支撑，第四季度 DRAM 合约价预计环比增长双位数，HBM4 产能爬坡将继续限制标准服务器 DRAM 供给。三星电子的大额股东回报、机构连续买入以及外资转为净买入，均可能推动 KOSPI 向 7000 至 7200 点阻力区发起冲击。 但报告同时提示，韩国本土散户的承接能力正在减弱。比特币重返 8.5 万美元后，韩国加密交易迅速升温。 DefiLlama 数据显示，Upbit 在 6 月 13 日的单日现货成交额约 7.70 亿美元，9 月 22 日升至 18.17 亿美元，增幅约 136%。按报告引用的韩国五大交易平台 9 月 22 日合计 32.7 亿美元成交额计算，Upbit 一家的交易额已占逾半数，足以反映韩国本土风险资金正在重新涌向数字资产。 高盛认为，这将令 KOSPI 后续走势更依赖外资和机构买盘。10 月将是检验外资是否愿意继续加码韩国半导体和 AI 资产的关键窗口。
分析：1b DRAM 单位面积价值超台积电 2 纳米
火星财经消息，半导体分析机构 Kernel Insight：人工智能需求推动 DRAM 价格维持历史高位，最新工艺 DRAM 的单位面积销售价值已高于台积电 N2、N3 晶圆价格。该机构将台积电 300 毫米 N3 晶圆价格估为 2 万美元、N2 为 3 万美元，折合名义价格分别约为每平方毫米 0.283 美元和 0.424 美元，未计入边缘损耗、切割损耗及良率与缺陷。按每 Gb 1.50 美元及世代比特密度计算，1y DRAM 为每平方毫米 0.329 美元，1z 为 0.410 美元，1b 为 0.654 美元，较 N2 高出 50% 以上。10 纳米级工艺按 1y、1z、1a、1b 的顺序逐步微缩。上述每 Gb 价格假设接近现货，DRAMeXchange 数据显示，9 月 21 日 16Gb DDR5 eTT 芯片平均成交价为 24.80 美元，约合每 Gb 1.55 美元。比较口径存在差异。台积电数字是客户支付的晶圆代工价格，DRAM 数字是成品销售的总销售潜力，且未计入先进封装成本；台积电实际供货价会随订单量与合约变化。DRAM 指标基于小额现货价格，不同于三星电子、SK 海力士、美光营收主体的长期合约价格。非公开固定交易价格近期走强，若尚未完全反映到现货价格，存储厂商晶圆单位价格的领先幅度可能更大。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
长鑫存储年底 DRAM 月产能将达 35 万片，接近美光
火星财经消息，据 TechPowerUp 报道，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）预计到 2026 年底 DRAM 晶圆月产能约达 35 万片，美光同期预估约 37.5 万片。长鑫存储洁净室建设周期约 12 个月，短于行业通常的 21 至 24 个月。受美国制裁无法获得 EUV，长鑫存储使用较旧的 DUV 光刻及多重图案化技术。该公司已开始出货 16 Gb DDR5 芯片，速度 8000 MT/s，芯片面积 67 mm²、密度 0.239 Gb/mm²，G4 单元较 G3 小 20%。24 Gb 模组以约 6000 MT/s 量产，LPDDR5X-10667 模组（12 Gb 和 16 Gb）亦已量产。中国政府正鼓励长鑫存储向 JHICC、Swaysure 及长江存储子公司 XMC 等国内厂商转移 DRAM IP。
美光展示全球首款 512GB DDR5 模组，计划 2027 年量产
火星财经消息，美光展示全球首款面向服务器的 512GB DDR5 RDIMM 内存模组，运行速度最高达 9200 MT/s。AMD 与 Intel 正在针对未来平台进行验证。该模组通过硅通孔垂直堆叠 DRAM 芯片实现容量，配备 24 个模组的服务器内存可达 12 TB。单个 512GB 模组额定功耗为 16W，四个 128GB 模组合计功耗为 44.2W，降幅超过 60%。美光称，在 Spark SVM 内存密集型分析场景中，相较 256GB DDR5 性能最高提升 1.4 倍。该产品延续美光今年早些时候送样的 256GB DDR5 RDIMM（同样最高 9200 MT/s，采用 1-gamma DRAM 与 3D 堆叠），计划 2027 年量产，尚未公布定价。
机构：Q2 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长
火星财经消息 9月7日，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用，第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。（广角观察）