Citrini观点：韩厂对3D IC商业化持谨慎态度，中国长鑫借定制化路线加速卡位利基市场
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Citrini分析师jukan：Samsung Foundry 6月实现月度盈利，为2023年以来首次
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，Samsung Foundry 6 月实现月度盈利，为 2023 年以来首次。随着 6 月月度利润转正，Samsung 内部据称认为其自第三季度开始实现盈利转向的可能性提高。HBM4 基础裸片采用 Samsung 4 纳米制程生产被视为推动转向的关键因素，良率改善也被视为支撑月度利润转正的主要因素。 行业消息人士估计，Samsung 4 纳米制程良率已提升至约 80%。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
Citrini观点：英伟达护城河依然深厚，HBM4成本翻倍推升Rubin售价，高毛利与强定价权未受动摇
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 引用富邦证券《2027 半导体展望》报告指出，尽管 HBM4 成本将从 HBM3e 的 17-18 美元/GB 大幅跳升至 2026 年的 31-32 美元/GB，推升英伟达 Rubin GPU 售价至约 7.8 万至 8 万美元，但英伟达仍能维持 75% 至 80% 的高毛利率水平，其定价权与成本传导能力未被动摇。报告中同时指出，定制 ASIC 的 HBM 成本可能更高，达到 35-36 美元/GB，意味着 2027 年 HBM 成本将翻倍。 富邦证券报告对 AI 市场需求保持乐观，认为尽管市场近期担忧 AI 通胀，但 Token 成本仍是驱动云服务商资本支出的更重要因素。在架构层面，英伟达新机架仍计划使用相同数量的计算芯片，机架内仍用线缆做 Scale-up，机架间则用 NPO/CPO 做 Scale-out。此外谷歌计划 2028 年部署 1200 万至 1500 万颗 TPU，产能消耗较 2027 年翻倍以上；英特尔 EMIB 产能预计 2027 年底增至每月 2.4 万至 2.5 万片，台积电则放缓 SoIC 扩张以优先扩大 CoWoS 产能。 核心结论为：即便成本结构发生变化，英伟达在 AI 算力生态中的定价权、毛利率和需求支撑仍然构筑了难以撼动的竞争壁垒。
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。