利基型存储加速扩产 华邦电新晶圆厂两期项目整合同步加速推进
相关推荐
华邦电提前启动高雄路竹厂扩产，Module B 预计 2027 年动工
火星财经消息，据工商时报报道，在 AI 带动存储器及先进封装需求长期成长下，华邦电提前启动高雄路竹厂扩产规划，将原定二、三期整并为 Module B 同步开发，预计 2027 年动工兴建无尘室，最快 2029 年初开始装机，并依客户需求预测及 LTA 分阶段导入设备。目前已有客户提前洽谈 2029 年、2030 年产能。法人指出，华邦电第三季利基型 DRAM 与 SLC NAND 供不应求，价格季涨幅估约 50%；NOR Flash 受惠云端服务供应商大客户备货，价格季涨幅估约 30%。第四季存储器价格涨幅估收敛至 2% 至 5%，但受惠 DRAM 产能增加及出货量成长，营收及获利仍可维持季增。华邦电第二季合并营收 598.43 亿元，季增 56.4%、年增 184.7%，DRAM 价格季增约 100%、Flash 上涨约 43%，合并毛利率升至 66.2%，每股税后纯益 5.40 元。Module B 产品规划涵盖 Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及硅电容（Si-Cap），将支持 14 纳米及未来 12 纳米 DRAM 制程，后续亦规划导入 EUV 设备。
消息称SK海力士推进EUV工艺 开始引入新材料PSM
火星财经消息,SK海力士正致力于推进其极紫外光刻（EUV）技术，以实现下一代DRAM的量产。公司于去年首次推出高数值孔径（High-NA）EUV设备，并于今年全面启动相关技术的研发。据悉，该公司已全面开始引入相移掩模（PSM）等新型材料，以提升EUV光刻性能。 （ZDNET Korea）
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
SemiAnalysis：长鑫存储已成为全球第四大DRAM厂商，但短期难以改变存储短缺格局
火星财经消息，6 月 30 日，半导体与 AI 独立研究机构 SemiAnalysis 发文表示，长鑫存储（CXMT）目前已成为全球第四大 DRAM 参与者，并对 SK 海力士、三星和美光等存储供应商施加更大压力。尽管该公司正在扩大产能，且未来数月可能在显著现金流积累支持下继续增加产能，但仍面临设备、技术和市场等关键挑战。 在设备方面，CXMT 仍面临多类先进半导体设备出口管制，这些设备涉及 DRAM 和 HBM 生产，包括 EUV 光刻、先进刻蚀工具以及 TSV 相关设备等。CXMT 在多个制造环节仍面临挑战，每个环节都需要不同设备能力、工艺成熟度和整合经验。在技术方面，CXMT 的 DRAM 制程技术仍落后现有领先厂商数代，HBM 领域的差距则更大。随着先进设备在下一代 DRAM 扩展中发挥越来越关键的作用，这一挑战可能随时间变得更加困难。 CXMT 的崛起不应被视为存储周期终结因素，也不是对领先存储厂商的迫近威胁，而更应被视为长期结构性竞争力量。短期来看，DRAM 供给短缺规模过大，CXMT 的增量产出难以实质性缓解市场；本轮超级周期仍由供应受限、存储内容提升、HBM 晶圆吸收以及 AI 驱动需求加速定义。
杰弗瑞上调AMAT目标价，称AI推高DRAM和先进封装设备需求
火星财经消息，6 月 26 日，杰弗瑞在 6 月 25 日报告中将 Applied Materials 目标价从 510 美元上调至 770 美元，并维持「买入」评级，理由是 AI 正在推动 DRAM、HBM 和先进封装制造复杂度上升，从而扩大 AMAT 的设备市场。 AMAT 前一交易日收于 668 美元，新目标价对应约 15% 上行空间。杰弗瑞还给出 900 美元牛市情景和 500 美元熊市情景。 报告称，DRAM 正在更多采用先进逻辑芯片工艺，包括 FinFET、CMOS Bonded Array、更多 EUV 和复杂互连。这将提高沉积、刻蚀、互连和过程控制步骤，使 AMAT 的 DRAM 可服务市场在每 10 万片/月晶圆产能下，从 6F² 架构的约 60 亿美元，升至 4F² 的 65 亿美元，并在 3D DRAM 阶段达到约 75 亿美元。 HBM 是另一关键驱动。杰弗瑞称，HBM 为实现同等 bit 出货，需要 3 至 4 倍晶圆投入，因此即使 DRAM bit 增长温和，实际设备需求也会被放大。AMAT 在 HBM 封装相关设备中拥有约 50% 的可服务市场份额。 先进封装也在提速。杰弗瑞预计 AMAT 先进封装业务今年将增长 50% 以上，收入超过 20 亿美元；2020 年至 2024 年该业务已增长三倍。未来增长将来自 hybrid bonding、3D/3.5D 封装、panel interposer 和 CoPoS。报告特别提到 Kinex die-to-wafer hybrid bonding 系统，认为 AMAT 将受益于 AI 加速器封装尺寸扩大和封装工艺升级。 财务方面，杰弗瑞预计 AMAT 2026 财年 EPS 为 14.01 美元，2027 财年为 18.06 美元；收入分别约 367 亿美元和 442 亿美元。770 美元目标价基于 2028 日历年 EPS 21.25 美元和约 36 倍市盈率。 风险包括云厂商资本开支放缓、晶圆厂设备市场停滞、AMAT 在沉积/刻蚀/过程控制环节丢失份额，以及制造工艺转型执行不佳。
消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发
火星财经消息,近日，据业内人士透露，三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发，2026年12月进入量产转移阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望2027年底实现首批量产。 （TheBell）