三星电子、SK海力士计划下半年增加对英伟达8层HBM4内存供应量
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三星和SK海力士将于明年Q2量产并交付HBM4 供应给英伟达
火星财经消息,据ZDNet Korea 26日报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4的量产和出货时间定在明年第二季度左右。一位知情人士表示:“据我了解,英伟达将根据基于Rubin Ultra的NVL机架规模,同时配备8层HBM4。虽然12层HBM4仍将是今年的主要重点,但从明年年中开始,8层HBM4的比例将显著增加。”(财联社)
三星电子拟将器兴 NRD-K 研发产线改为晶圆代工用途,目标 HBM 用 2nm 基础芯片量产
火星财经消息,据韩媒 ZDNet Korea 报道,三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途,从研发设施改为晶圆代工产线,主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用,采用“Send-Fab”模式,即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区,总投资约 20 万亿韩元,共规划 3 条产线,其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。业内人士指出,NRD-K 2 号线规模相对较小,适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间,最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产,相关计划在本月被修改后,DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。
三星电子计划2027年上半年开始量产HBM4E
火星财经消息,三星电子称,第四季度DRAM位元增长将达到15%-20%。公司计划2027年上半年开始量产HBM4E。(财联社)
三星电子:存储需求将进一步增长 继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模
火星财经消息,三星电子在Q3财报中表示,存储需求将进一步增长,需求重心集中在适配新一代CPU/GPU平台的存储产品。伴随个人AI智能代理服务扩张,QLC固态硬盘需求大幅攀升。继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模,提升高速服务器DDR5、QLC产品的供货量。(财联社)
知情人士:长鑫存储拟量产HBM3E,良率仅20%至30%
PANews 10月28日消息,据路透社报道,两名知情人士透露,长鑫存储计划在未来两个月内开始小规模量产HBM3E高带宽内存,目前良率仅约20%至30%,SK海力士约为70%。长鑫已向多家国内AI芯片设计公司送样。测试中,其性能更接近SK海力士上一代产品HBM3。美国出口管制导致中国AI芯片企业高端内存短缺,华为、寒武纪等上月已将AI芯片提价20%至50%。长鑫的HBM3E成本预计高于海外同类产品。
SK海力士CEO:未来三年DRAM以及HBM产能产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
火星财经消息,SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露:“已经敲定的LTA订单,叠加当前和客户正在磋商的需求,未来三年直至2029年,我们的DRAM以及HBM产能实际上已经近乎售罄。磋商当中的订单,均基于客户明确的采购规划,落地概率很高。综合来看,中长期销售的能见度已经大幅提升。”(财联社)