三星电子、SK海力士计划下半年增加对英伟达8层HBM4内存供应量
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三星电子拟将器兴 NRD-K 研发产线改为晶圆代工用途，目标 HBM 用 2nm 基础芯片量产
火星财经消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。
本周用户最关心股票Top 5：链上币股带动BNC大涨，HBM存储回暖、耐克走出修复
BlockBeats 消息，9 月 11 日，劳动节后的短交易周，美股在通胀与利率担忧下明显分化。截至美东 9 月 10 日，标普 500 和纳指本周均回落约 1.6%，油价和长端美债收益率上行压制风险偏好；9 月 11 日 CPI 将成为 9 月 15 日至 16 日 FOMC 会议前的关键变量。结构上，大模型、人形机器人和 HBM 存储仍获资金关注，消费股则开始交易渠道修复与新品催化。 BNC（周内涨约 10.25%）：围绕新业务推进与数字资产财库策略的消息持续发酵，资金反复博弈其 BNB 持仓、融资和执行进度；股价冲高后回稳，短线波动明显放大。BNC 此前披露持有逾 51 万枚 BNB，并计划继续配置 BNB 及择机回购。 MiniMax（周内涨约 7.00%）：市场继续交易大模型产品与企业服务商业化。MiniMax 上半年收入同比增长 283%，其中开放平台及企业服务收入同比增长 703%；本周走势偏强，但资金仍会关注收入扩张能否覆盖推理和算力投入。 宇树科技（周内涨约 6.32%）：人形机器人产业链情绪回暖，宇树上市后的交易热度延续，相关标的走势偏强；不过前期高波动尚未完全消化，量产订单、商业化落地与估值匹配度仍是核心分歧。 美光（周内涨约 5.62%）：AI 服务器和 HBM 存储需求预期支撑资金回流，市场提前博弈 9 月底财报。美光已推动 HBM4 进入量产出货，并给出约 500 亿美元的第四财季营收指引，存储景气预期仍在。 NIKE（周内涨约 2.21%）：新品与渠道调整带动修复交易，股价先抑后扬。耐克正重整数字渠道、加码批发分销和品牌营销；北美改善相对领先，但大中华区与 Converse 调整仍需时间，消费复苏交易仍待业绩验证。
KB 证券：三星 HBM4 销量环比增超三倍，代工业务三季度有望扭亏
火星财经消息，KB 证券 9 月 11 日发布报告指出，三星电子 HBM 市场份额有望从第二季度的 33% 提升至第四季度的 40%，主要得益于 HBM4 第三季度销量环比增长超过三倍，且下半年 HBM4 预计占其 HBM 总销售额的 60% 以上。三星电子已确立 HBM4 全面量产、向核心客户供应 HBM4E 样品、采用 1c 核心裸片与 2 纳米基础裸片的 HBM5 架构以及下一代 ZHBM 的路线图。其代工业务方面，4 纳米良率稳定在 80% 以上，2 纳米 GAA 良率快速提升至 70% 以上。KB 证券分析师 Kim Dong-Won 表示，代工业务自第三季度起有望扭亏为盈，2 纳米良率年内或助其斩获美国大客户订单。
消息称英伟达Rubin Ultra芯片拟改用8层HBM
火星财经消息,据业界消息，英伟达正考虑将下一代Rubin Ultra人工智能加速器的高带宽内存（HBM）方案，从此前的12层堆叠调整为8层。在存储成本不断上涨的背景下，英伟达更加重视单位带宽成本以及整机系统的经济性。 （台湾电子时报）
长鑫存储 HBM3 试产良率停滞于 25%
ChainCatcher 消息，据朝鲜日报报道，中国最大 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽存储器 HBM3 试验生产，初期良率停滞在 25%，约为量产黄金良率 80% 的三分之一。SK 海力士自 2022 年起量产同类产品，良率超过 90%。长鑫存储 HBM3 8 层堆叠产品前道工序良率约 30%，后道工序后约 70% 成为最终良品。公司将少量样品供应给阿里巴巴平头哥、寒武纪等中国企业并持续改善良率。其 G4（17 纳米级）工艺普通 DRAM 无大问题，但 HBM 用 DRAM 芯片面积更大、电气规格更严格。业界将原因指向硅通孔 TSV 技术成熟度不足。Nomad Semi 分析显示，三星 HBM2 每芯片 TSV 超 5000 个，SK 海力士 HBM3 超 8000 个，长鑫存储约 3000 个。与三星、SK 海力士存在 4 至 5 年差距。
消息称三星将超半数4纳米产能投入HBM4基础裸片生产
火星财经消息 9月8日，据报道，三星电子计划将超过一半的4nm产能投入HBM4基础裸片生产。一位知情人士表示，三星电子的4nm工艺目前已全面投产，HBM4的基础裸片占总产量的50%到60% ，这一高比例将在今年下半年保持下去。（广角观察）