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长鑫存储利润率超 SK 海力士、美光登顶

火星财经消息，据日经亚洲报道，中国芯片制造商长鑫存储（CXMT）在利润率方面已领先全球竞争对手，超越 SK 海力士和美光。该公司利用商品级 DRAM 供应紧张的局面，在第二季度占据优势。长鑫存储的主要产品包括 DDR5 内存，近几个月价格出现上涨。报道称，这一情况出现在由韩国、美国和日本供应商主导的存储芯片行业。
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08-25 01:05重要

分析：CXMT 产能见顶，DRAM 价格持续大涨

火星财经消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。

07-08 00:40

Apple开始测试CXMT DRAM，用于在中国销售设备

Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据 FT 报道，Apple 已开始测试 CXMT 的 DRAM，用于在中国销售的 Apple 设备。

07-05 09:08

Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手

Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。

06-23 07:34重要

TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨

火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。

09-07 02:28

分析：中国存储由 CXMT、YMTC、XMC 三家分工

火星财经消息，研究人士 Schulz_Research 发文称，中国存储推进已不再是单一公司故事，而是三家分工：CXMT 负责 DRAM 晶圆，YMTC 负责 NAND 并在最新工厂加入 DRAM，YMTC 控制的代工厂 XMC 负责堆叠二者产品。该分工对应北京自去年 12 月下旬起的规则，即新工厂获批须采购标书显示至少一半设备国产，仅在无国产选项时给予豁免。YMTC 武汉三期是首个通过该规则的先进存储项目，将于今年晚些时候投产。CXMT 运营三座 300mm DRAM 工厂，各约每月 10 万片晶圆；模型显示其 2026 年底达 35 万片，若所有已宣布项目完工总量将超 60 万片。YMTC 武汉前两座工厂合计 20 万片，三期 2027 年达 5 万片、满产 10 万片，另拟再建两座同等规模工厂。XMC 两座 12 英寸工厂各约 3 万片，另有 HBM 封装线约每月 3000 片。中国供应全球约 10% DRAM 比特，YMTC 二季度占 NAND 比特出货 14%，中国消费全球存储约 30%。CXMT 已量产 DDR5 与 LPDDR5，计划今年启动 HBM3 量产并已向国内 AI 硬件开发商送样。XMC 用两年时间基于混合键合与 YMTC 堆叠 IP 建设 HBM 封装，仍在推进 TSV 工艺。

09-11 04:58

长鑫存储研发人员同比增长约60%，第二季度全球DRAM市占率升至9.5%

PANews 9月11日消息，据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）研发人员规模同比增长约60%，并启动2027届全球招聘，提供180多个岗位，工作地点涵盖合肥、北京、上海、西安及日本。招聘方向包括电路设计、研发技术、量产技术、生产运营、IT及市场营销，其中研发类岗位占比最高。 数据显示，长鑫存储2026年第二季度DRAM营收环比增长99.3%，全球市场份额由第一季度的7.6%升至9.5%，位列全球第四，仅次于三星、SK海力士和美光。